Samsung fue el precursor de la memoria NAND 3D con su V-NAND, y desde entonces ha conseguido mantener la primera posición como fabricante de NAND. Ahora ha anunciado que ha metido en producción la novena generación de esta memoria para almacenamiento. Es de tipo TLC —tres bits por celda—, y como viene siendo habitual trae algunas novedades de cara a la densidad de bits y velocidad.
En lo primero, ha aumentado un 50 % la densidad de bits respecto a los chips de V-NAND de 8.ª generación. Aunque haya empezado ahora con la producción de estos chips de tipo TLC, ha indicado que en el segundo trimestre comenzará con la producción de los de tipo QLC de 9.ª generación, por lo que aumentará aún más la densidad de bits hacia finales de año.
En cuanto a la velocidad, la ha aumentado un 33 % hasta los 3.2 Gb/s gracias a utilizar la interfaz NAND Toggle 5.1, teniendo en cuenta que la Toggle 4.0 es de 2021 y no hay información de la Toggle 5.0. Como es normal, a mayor velocidad, más ganas de venderla como ideal para la interfaz PCIe 5.0. Además promete una reducción de consumo del diez por ciento respecto a los chips de la generación anterior.
Fuente: Samsung.
