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Con el sustancial aumento de potencia de los portátiles que han llegado este 2023, hay cada vez más gente que está prescindiendo del PC de sobremesa. Pero los que le den un uso más profesional necesitan más de los 64 GB que pueden instalar con los módulos SO-DIMM de DDR5 actuales. Para ellos, SK Hynix ha empezado a vender módulos de 24 GB y 48 GB de RAM en ese formato SO-DIMM, empezando por China.

SK Hynix ha anunciado su primera SSD externa para el sector consumo. Se trata de la Beetle X31, un modelo que se venderá en capacidades de 512 GB y 1 TB, con un diseño externo en aluminio dorado bastante bonito, con buenas líneas, y que según la compañía recuerda a un escarabajo. Se vende junto a una funda de protección transparente de silicona.

Aunque el sector de la memoria NAND 3D está patas arriba por el hundimiento de precios, SK Hynix continúa con sus planes de desarrollo de nuevos chips. Ahora ha anunciado el inicio de la producción en masa de lo que llama «NAND 4D» con 238 capas, que supone un 35 % más de bits por chip frente a la anterior NAND de 176 capas. Los chips alcanzan una velocidad de 2.4 Gb/s, un 50 % más que la generación anterior, con un aumento de velocidades de lectura y escritura de en torno a un 20 %.

SK Hynix es el principal productor de memoria de alto ancho de banda (HBM) y ahora ha dado un paso para mejorarla con unos nuevos chips que aumentarán la frecuencia de funcionamiento hasta los 8 Gb/s. Este tipo de memoria recibe el nombre por ahora de HBM3E, y va a ser producida utilizando el proceso litográfico de 1ß nm (o 1b nm) de la compañía, un proceso en torno a los 10 nm.

El desplome de ventas en el sector PC en los últimos meses, que se sitúa por encima del 30 %, ha afectado especialmente a los productores de chips de memoria, tanto NAND como DRAM, lo que les está llevando a un duro 2023. Los tres productores importantes se han afectado de manera similar, y en el caso de SK Hynix, ha indicado que en el primer trimestre del año sus ingresos se desplomaron un 58 % interanualmente, así como un 34 % intertrimestralmente.

China y EUA están en una guerra fría tecnológica que en el caso de los estadounidenses está arrastrando a terceros países sin nada a cambio. Ante las continuas prohibiciones de venta de tecnología a China o de compra de chips producidos en China, el gigante asiático está valorando prohibir la compra en el país de chips de la estadounidense Micron. Eso llevaría a las compañías chinas a tener que comprar los chips de SK Hynix y Samsung, los otros dos principales fabricantes. Para evitarlo, EUA las ha pedido que no cubran esa demanda en caso de que se genere.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) llegó al mercado como un codesarrollo de SK Hynix y AMD, llegándola a usar en algunas Radeon. Pero las ventajas que tiene de latencia en ciertos escenarios no compensa respecto a usar una GDDR6 mucho más barata de producir y sobre todo de integrar en las tarjetas gráficas. Al menos en las orientadas a jugones, porque para el sector empresarial y centros de datos su demanda está en aumento gracias a las aceleradoras de NVIDIA. SK Hynix es la única que produce HBM3 actualmente, y ahora intenta hacer frente a la explosión de demanda que se avecina.

Los fabricantes de memoria NAND 3D, la usada en las unidades de estado sólido, han pegado un frenazo en el desarrollo y producción de los chips de mayor densidad de bits. Es un sector que ha visto desplomarse sus ingresos en los últimos meses y no se espera que vuelvan a un crecimiento en este terreno hasta la segunda mitad del año. Por eso aunque SK Hynix ha hablado de su memoria NAND 3D de 300 capas no se espera que esté en el mercado hasta 2025, o con suerte finales de 2024.

Se ha llegado a un punto en el que las compañías de chips de memoria desarrollan sus invenciones y luego ya llegará la JEDEC para validarlas. Un clásico dentro del sector. Pero ahora están surgiendo cada vez más estándares de memoria específicos de ciertas compañías, y la LPDDR5T de SK Hynix es uno de ellos. La te final del nombre significa 'turbo', y de ahí que asegura que es la más rápida del sector, usada principalmente por dispositivos móviles —portátiles, tabletas, teléfonos, etc.—.

SK Hynix ha desarrollado junto a Intel y Renesas una nueva tecnología de acceso a módulos de memoria denominada multimplexación de filas combinadas (MCR, multiplexer combined ranks). Normalmente los módulos de memoria que tienen dos filas o hileras de chips accesibles de manera no simultánea debido a la conexión de 64 octetos con el procesador, o 72 con código de corrección de errores (ECC). MCR lo que permite es el acceso simultáneo a ambas filas, duplicando en la práctica la tasa de transferencia entre RAM y CPU.