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SK Hynix sigue evolucionando en el terreno de los encapsulados avanzados, que últimamente andan altamente demandos debido a su uso principalmente por NVIDIA para sus chips de computación. El último que ha desarrollado es el encapsulado con ramificaciones externas a nivel de oblea o FO-WLP (por su sigla en inglés), que es un método de los considerados 2.5D. No es un método nuevo, porque habló de él hace un par de años, pero ya estaría casi listo para producción.

Las necesidades de optimizar la producción de procesadores para computación está llevando a línea de investigación que de por sí llevaría a chips aún más caros, pero que debido a la revolución de la inteligencia artificial se pagaría de buen grado. Una de esas optimizaciones en las que estaría trabajando SK Hynix sería un proceso que permtiría apilar sus chips de memoria de alto ancho de banda (HBM) directamente sobre las CPU y GPU, lo que a la postre llevaría a un ahorro de espacio, consumo y reducción de latencia de comunicación entre el procesador y la HBM.

SK Hynix lleva hablando de su memoria LPDDR5T desde hace un año, anunciando en el proceso los habituales diversos hitos. El final es que ha puesto finalmente en manos de sus clientes estos chips de memoria que alcanzan los 9600 Gb/s para los próximos procesadores de movilidad que llegarán en 2024 como el Snapdragon 8 Gen 3.

SK Hynix, al igual que el resto de productores de chips de memoria, llevan encadenando varios trimestre de hundimiento de ventas. La coyuntura económica ha hecho mella en la demanda del sector consumo. Esta compañía ha visto caer sus ingresos del tercer trimestre un 17 % interanual, aunque ha mejorado un 24 % respecto a los del segundo trimestre del año, por lo que la situación empezará a mejorar a partir de principios de 2024.

Los fabricantes de memoria DDR5 se preparan para el lanzamiento de sus chips que funciona a 9.6 Gb/s, lo cual será un empujón adicional al ancho de banda de memoria frente a la actual ampliamente disponible de 6400 Gb/s, o la más restringida de 8.6 Gb/s. Tanto Micron como SK Hynix están en la fase de ganar contratos con los fabricantes de móviles gracias al anuncio del Snapdragon 8 Gen 3 porque sus chips de memoria LPDDR5X son compatibles con este procesador. En el caso de SK Hynix, la ha llamado LPDDR5T, con la -T de «turbo» por el postureo publicitario.

La guerra tecnológica (y económica) en curso entre China y EUA ha levantado las suspicacias de aquellas empresas que los Estados Unidos de América intenta que abran nuevas fábricas en el país. Una de las medidas de los EUA más polémicas fue la prohibición de que las empresas que accedieran al fondo CHIPS estadounidense pudieran expandir sus fábricas de producción de chips en China. Todas las empresas importantes de semiconductores tienen alguna fábrica en suelo del gigante asiático, así que Samsung o SK Hynix presionaron para que hubiera un cambio de opinión del (des)gobierno de Biden. Y lo han conseguido.

La explosión en la demanda de procesadores para inteligencia artificial para el sector de los centros de datos está espoleando el desarrollo de los productos relacionados. Por ejemplo, la memoria de vídeo HBM usada en las principales aceleradoras del mercado, sobre todo las de NVIDIA, por lo cual SK Hynix ha anunciado que su HBM3E entrará en producción en masa en la primera mitad de 2024. Para entonces se espera que NVIDIA anuncie su nueva generación de tarjetas para cómputo, por lo que las fechas encajan bien con las necesidades del sector.

SK Hynix anunció en enero la memoria LPDDR5T, teniendo en cuenta que la T final significa 'turbo', y de ahí que diga que según la compañía sea la más rápida del sector, usada principalmente por dispositivos móviles —portátiles, tabletas, teléfonos, etc.—. Ahora ha sido validada a su velocidad de 9.6 Gb/s en dispositivos de Mediatek, por lo que parece que está casi lista para llegar al mercado de consumo a principios de 2024.

SK Hynix sigue evolucionando su memoria NAND 4D, que es como llama a la memoria NAND 3D que produce por mover los circuitos periféricos debajo de los chips de memoria. Eso es algo que hacen todos los fabricantes ahora mismo, pero no por ello han pasado a llamarla todos NAND 4D. Sea como sea, ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de chips de memoria NAND 3D que incluyen 321 capas de memoria para una capacidad total por chip de 1 Tb (128 GB), que es la más avanzada por ahora presentada.

Los servidores actuales se están quedando pequeños para la cantidad de memoria y potencia de cómputo que necesita la ejecución de los grandes modelos de lenguaje (LLM) que usan las inteligencias artificiales generativas (IAG). Con la revolución iniciada por ChatGPT el pasado noviembre, todas las empresas están corriendo a hacerse con más y más potencia de cómputo, lo cual se traduce en más servidores vendidos y sus componentes como la DRAM. Esa demanda es lo que ha mantenido a flote a empresas como SK Hynix y ha evitado un desastre mayor por el deplome de demanda del sector consumo.