Samsung ha introducido nuevos chips de memoria para el almacenamiento interno de los teléfonos con los que llevará la capacidad de 128 GB a los teléfonos de gama media-alta. Se trata de nuevos chips NAND de 3 bits para conexiones eMMC 5.0, utilizada en procesadores como los Snapdragon 800. Los Snapdragon 400/410 por ahora usan eMMC 4.51, por lo que no los esperéis en las gamas media y baja. Para la gama alta deja la memoria UFS, como en su Galaxy S6.
Esta memoria alcanza una velocidad de lectura secuencial de 260 MB/s, igual a la eMMC 5.1 soportada por algunos de los procesadores que llegarán al mercado a finales de año. Las velocidades de lectura y escritura secuencial llegan a los 6.000 y 5.000 IOPS (operaciones de entrada/salida) respectivamente. Algo baja teniendo en cuenta que este tipo de memoria sólo puede leer o escribir en un momento dado, no ambas a la vez, por lo que el rendimiento real puede bajar bastante.
Estas memorias pueden ser más idóneas para teléfonos y tabletas sin tarjeta microSD, pero en realidad es preferible un almacenamiento interno en los teléfonos de por ejemplo 16 GB y tener lector de tarjetas microSD que una memoria interna de 128 GB. La diferencia son 100 euros para las mismas prestaciones. ¿El objetivo de Samsung en todo esto? Pues en realidad dar a fabricantes como OnePlus o Google, que optan por teléfonos sin lector de tarjetas, una opción más de timar compra a sus clientes.
