Western Digital anunció hace unas semanas el desarrollo de su memoria NAND 3D de 96 capas con tres bits por celda (TLC) como de cuatro bits por celda (QLC). Es una nueva generación llamada BiCS4 que empezará a producirse en un futuro, pero mientras tanto ha indicado que ha desarrollado la memoria NAND 3D de 64 capas de la actual generación BiCS3 de tipo QLC, a la cual llama X4.
Esta memoria se puede apilar para incluir hasta 768 Gb en un único encapsulado (96 GB), que es un aumento del 50 % con respecto a la anterior X3 (TLC) que permitía 512 Gb por chip (64 GB). La compañía dará más detalles de sus tecnologías en el Flash Memory Summit que se celebrará en agosto en Santa Clara (California). El rendimiento de la memoria BiCS3 X4 será similar a la BiCS3 X3.
Con los precios actuales de la memoria flash, no es tanto una cuestión de que anuncien este tipo de desarrollos —que está bien— sino que anuncien la apertura de más fábricas y ampliación de líneas de producción para poder bajar su precio. Posiblemente a quien solo le interesa esto último es a Samsung. Tienen que detallar, por ejemplo, como evitan el desgaste de las celdas usando QLC, o cómo mejoran la lectura de los voltajes que representa cada valor que se puede guardar en una celda con QLC —hasta 16 valores distintos—.
Vía: TechPowerUp.
