Samsung cuenta con los procesos de fabricación de semiconductores más avanzados del mundo, como buena fe de ello da la inversión de miles de millones de euros que hace anualmente en I+D. Aunque lleva desde el año pasado fabricando chips con un proceso litográfico de 10 nm, ahora ha anunciado que ya está produciendo chips de DRAM con su proceso de 10 nm de segunda generación.
Estos nuevos chips de memoria son de 8 Gb (1 GB) y tienen en torno a un 30 % más de rendimiento de producción que los de la primera generación, lo que debería ayudar a ofertar más memoria a un sector que mantiene precios altos. Samsung también indica que el rendimiento se ha mejorado un 10 % y el consumo se ha reducido un 15 % con el uso de un diseño de circuito propietario, con lo que pueden funcionar a 3600 Mb/s sin problemas, frente a los 3200 Mb/s de la primera generación.
La compañía también indica que estos chips permitirán la aceleración de la producción de diversos tipos de memoria gráfica y futura de DRAM, como DDR5, HBM3, LPDDR5 y GDDR6.
En este caso, y aunque suene que 10 nm puedan ser 10 nm de verdad,según la nomenclatura de Samsung puede referirse a «un nodo que vaya desde los 10 a los 19 nm» —según indica Samsung en la nota de prensa—. Es una práctica habitual y a veces engañina de los fabricantes de chips, con Intel siendo la única que suele ser fiable cuando indica que si un proceso es a 10 nm, realmente son 10 nm.
Vía: Guru3D.
