Aunque la memoria 3D XPoint de Intel y Micron está dando sus primeros pasos en productos comerciales, es el futuro de la memoria para almacenamiento. Son chips de mucha menor latencia y con mayor velocidad potencial, así como una mejora importantísima de su durabilidad. A medio camino está la nueva memoria Z-NAND de Samsung, que también mejora en la latencia de escritura y lectura, durabilidad y velocidad, y ahora la ha usado para crear el SSD de formato M.2 22110 basado en el SZ985.
El chip de control o controlador de este SSD está creado por Samsung, y permite una alta velocidad con su conexión PCIe 3.0 ×4 de hasta 3200 MB/s de lectura secuencial y 2800 MB/s de escritura secuencial, con 750 000 IOPS de lectura aleatoria de archivos pequeños, y 150 000 IOPS de escritura aleatoria.
Alcanza la misma durabilidad de 42 petabytes (PB), lo que permite grabar 30 veces al día toda su capacidad durante cinco años. Estará disponible en modelo de 240 GB y 480 GB, y está sobre todo orientado al sector empresarial. Comparativamente, los chips Z-NAND y la electrónica relacionada es mayor, por lo que para esta primera generación es probablemente la máxima capacidad que Samsung puede incluir en el formato M.2.
Vía: AnandTech.
