Los procesos litográficos con los que se crean obleas de las que posteriormente se recortan los chips, como la mostrada en la imagen de cabecera, son cada vez más difíciles de que creen transistores a menor tamaño. Actualmente los procesos a 10, 12 o 14 nm usan patrones múltiples para crear las zonas en las que tienen que ir las líneas de conexión de los transistores o los propios transistores, tras un proceso que requiere exposición a luz de determinadas longitudes de onda y productos químicos.
Es un resumen muy generalista de cómo se crean los chips ahora mismo en los nodos de fabricación más avanzados, pero sirve para hablar del siguiente tema. El próximo paso que tienen que dar las compañías para fabricar chips a 7 nm o menos es el de utilizar luz ultravioleta extrema (UVE) son longitudes de onda entre los 124 nm y 10 nm, pero los expertos están encontrando que su uso está provocando una multitud de defectos en la producción de las obleas.
El problema, han indicado en la convención anual de óptica y fotónica SPIE, es que los defectos que se están produciendo no se sabe por qué son. Algunos han conseguido crear medidas para corregirlos, pero la solución de todos ellos requiere de equipamiento que por ahora no existe en el mercado y faltan en torno a dos años para que se termine su desarrollo. Específicamente, sistemas de inspección actínica —la franja del espectro solar capaz de provocar transformaciones químicas, necesarias para crear los chips—. Hacen referencia también a que el rendimiento de producción a 7 nm podría estar lejos del ideal.
Esos defectos pasan por muescas que aparecen en las líneas de comunicación entre bloques de transistores, contactos desvanecidos, contactos fusionados, y otros que provocan que una región de un chip quede inutilizada. Por tanto, los procesos de fabricación a 5 nm, de llevarse adelante comercialmente, tendrían un bajo rendimiento de producción y por tanto unos costes mucho más altos para las compañías, lo cual tendrían que repercutir en el precio de los productos finales.
Actualmente se estima que el proceso de fabricación a 7 nm llegue en 2019, una vez solucionados los problemas a ese nivel de integración, y que el proceso de 5 nm se demore hasta al menos 2022, y el de 3 nm hasta 2024. Un proceso de 2 nm no se espera hasta al menos 2026 o 2027. Eso si se consiguen solucionar los problemas planteados por el uso de UVE en la creación de las obleas a 5 nm, que nadie lo tiene claro ahora mismo, ni siquiera en GlobalFoundries, principal socio de AMD.
Fuente: EET Asia. Vía: TechPowerUp.
