Samsung está actualizando su hoja de ruta en el sector de los semiconductores, y tras indicar que va a comenzar la producción de masa de chips a 7 nm con luz UVE ha hablado de sus chips de memoria para las SSD. El futuro pasa por un par de tecnologías que permiten optimizar la producción de memoria NAND 3D como son los chips de 96 capas y los que tienen estructuras de almacenamiento de cuatro bits por celda (QLC).
Sobre ellos ha dicho que sus fábricas se están actualizando todas para fabricar la NAND 3D de tipo TLC de 96 capas, que están llegando acompañadas de su controlador privativo Phoenix que tan buen resultado le está dando en la serie 970 EVO, si bien esta usa memoria NAND 3D de 64 capas. Llegará en la SSD para centros de datos PM983a, y permitirá duplicar la capacidad por disco hasta los 16 TB. También habrá el nuevo PM991 que duplicará la velocidad aleatoria de E/S y aumentará en un 50 % las secuenciales. Los discos PM1733b usarán a partir de ahora una interfaz PCIe 4.0, alcanzando velocidades de lectura/escritura secuenciales de 8 GB/s.
Por otra parte, la compañía apuesta por la memoria QLC para el sector consumo si bien tienen un hueco en el sector empresarial para servidores que hagan sobre todo lectura. Esta memoria tiene un 33 % la densidad de bits por chips, abaratando costes, y eso en un momento en el que el sector está a la baja es fundamental, si bien esta memoria tiene bastante menos durabilidad. Samsung apuesta por las SSD BM1733, BM9A3, y BM991 de tipo PCIe, así como por el BM1653 tipo SAS.
Para el sector consumo habrá los 860 QVO y 980 QVO de tipo PCIe usando esta memoria QLC. Probablemente haga uso de los chips de 512 Gb de tipo QLC que ha indicado que llegarán próximamente, con un 37 % menos de latencia de lectura y un 45 % menos de latencia de escritura, por lo que podrían mejorar sustancialmente esta tecnología QLC.
Vía: AnandTech.
