SK Hynix está preparada para poner en el mercado módulos de DDR5 de diversas velocidades, empezando por la de 5200 MHz. Si bien no es un estándar que varíe mucho de la memoria DDR4, las frecuencias de partida son sustancialmente mayores, y tiene el potencial de llegar a velocidad de 6400 MHz en un corto espacio de tiempo. De hecho, SK Hynix ha anunciado algunos detalles de la memoria DDR5-6400 que tiene también en preparación.
Esta memoria utilizará chips fabricados con una litografía 1y —aquellas entre los 14 y 16 nm— de cuatro capas, con una velocidad 6.4 Gb/s por pin del chip con un voltaje de 1.1 V en un tamaño de chip de apenas 76.22 mm2. La capacidad de estos chips será de 16 Gb (2 GB) que están organizados en 32 bancos de memoria y ocho grupos de bancos.
La compañía también ha publicado un diagrama de bloques de esta nueva memoria, indicando diversos componentes necesarios para mantener la integridad de la señal en el funcionamiento continuo de los chips, como por ejemplo un nuevo tipo de lazo de seguimiento de retardo (DLL) de diseño especial de SK Hynix que permite la correcta sincronización de la señal a alta frecuencia como la que van a alcanzar estos chips de memoria —lo cual además entra ya de lleno en la problemática propia de las señales de alta frecuencia, que es otro mundo a parte—.
Si todo sigue su curso, los módulos de DDR5 llegarán al mercado en 2020.
Vía: AnandTech.
