El sector de los chips de DRAM evoluciona más lentamente en lo referente a los procesos litográficos de producción, y lo demuestra que en los tiempos de los procesadores a 7 nm la coreana Samsung anuncie su proceso a 1z nm como un gran logro. Y ciertamente lo es para el sector de la DRAM. «1z nm» se refiere a un proceso de producción entre los 12 y 14 nm, que no suele ser desvelado exactamente cuál es, como tampoco se desvela en el caso de la fabricación de chips de memoria NAND 3D.
Se trata de la tercera generación de chips de memoria DRAM de tipo DDR4, tras la 2.ª generación a 1y nm —entre los 14 y 16 nm— y la 1.ª generación a 1x nm —entre los 16 y 19 nm—. Los chips creados por Samsung tienen una capacidad de 1 GB, y estarán orientados a clientes empresariales y PC de alto rendimiento que lleguen en 2020, ya que su producción se iniciará en la segunda mitad de este año.
Al reducir la litografía, Samsung puede mantener el consumo de la memoria y aumentar al máximo las frecuencias de los chips. Potencialmente con esta generación se puede hablar de que podría llegar a frecuencias de 5 GHz con un consumo quizás sobre los 1.5 V, ya que con los chips de memoria tipo B de Samsung actuales se alcanzan los 4600 MHz. Esto lo dejará bastante más cerca de la memoria DDR5, que partirá de los 6400 MHz.
De hecho, Samsung comenta que este proceso a 1z nm asienta el camino para su uso en la memoria DDR5, LPDDR5 y futuros chips GDDR6, por lo que será el proceso de fabricación común de la compañía para 2020.
Vía: Sanms.
