La tendencia actual del sector de los semiconductores es a la de expandir la producción para cubrir una creciente demanda, y una vez que las aguas revueltas de los últimos años están calmadas están previendo un repunte. Para evitarlo, Micron ha anunciado un aumento de la producción de su memoria DDR4 en el nodo de 1z nm en el que empezó a producir sus chips de DRAM a mediados de 2019.
Ese proceso litográfico de 1z nm, en terminología de fundiciones, es un proceso que comprende los 12 a 14 nm, sin un tamaño exacto por diversas razones de la propia producción de los chips de DRAM. Esos chips son de 16 Gb (2 GB), con un 40 % menos de consumo que dos chips de 8 Gb del nodo anterior de 1y nm (14 a 16 nm).
Con el movimiento al proceso de 1z nm se obtiene una mayor cantidad de chips por oblea, abaratando a su vez los costes, y el paso a aumentar la producción de este proceso litográfico también responde a una mejora en el rendimiento de producción —cantidad de chips viables por oblea—. Es también el proceso utilizado por la compañía para los primeros lotes de chips de LPDDR5 entregados a los fabricantes de móviles.
Vía: TechPowerUp.
