La especificación de la memoria DDR5 está llena de ventajas y no solo en el terreno de la velocidad. Incluye novedades importantes como la inclusión de código de corrección de errores de serie, lo cual tiene algunas ventajas en los mejores equipos para jugar, pero también en el terreno de la capacidad de cada módulo. Samsung lo ha puesto en práctica anunciando un módulo de 512 GB de este tipo de memoria aunque no utiliza chips normales.
Los transistores creados por la compañía en estos chips son de puerta metálica de alta constante dieléctrica (HKMG) y funcionan hasta a 7200 Mb/s, con se sitúa como la compañía con los chips más avanzados del mercado. Aunque, eso sí, parece más una demostración de fuerza que algo que vaya a tener un uso real o amplio hasta dentro de unos años.
Lo importante del anuncio en realidad es esa tecnología HKMG que la compañía ha usado en otras ocasiones con éxito en sus procesadores Exynos —no es una novedad porque lo usaba en en su proceso de 32 nm— y empleado hace tres años en su GDDR6. Es un método que permite aumentar la potencia de los chips reduciendo su consumo, y en el sector de la memoria es importante cuando pones una enorme cantidad de chips en un mismo módulo de RAM. Solo hay que ver la imagen que acompaña a esta noticia para ver de lo que estoy hablando. Cualquier recorte de consumo en este caso es bienvenido. Samsung habla de un recorte de consumo en torno a un 13 % por el uso de las HKMG.
Vía: Samsung.
