IBM tiene una enorme cantidad de patentes relacionadas con la producción de chips, y de hecho varios procesos populares que utilizan los FinFET (transistores de efecto de campo con aleta) usan su tecnología, sobre todo de Samsung y GlobalFoundries. Ahora la compañía ha anunciado que su fábrica de Albany (Nueva York) ha fabricado el primer chip con un proceso litográfico de 2 nm, el cual incluye 50 000 millones de transistores.
Eso sí, la estructura de los transistores hace uso de nanoplanchas en lugar de ser la habitual FinFET, si bien es la misma estructura usada en su proceso de 5 nm. Por tanto, es una estructura GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta amplia), que es la que usará Samsung en su proceso litográfico de 3 nm, y TSMC lo usará en el de 2 nm.
Este tipo de estructura tiene ventajas adicionales de hasta el 45 % de rendimiento o 75 % menos de consumo frente al proceso de 7 nm, pero también de espacio ya que los transistores se pueden apilar. El proceso MBCFET de Samsung hace también uso de esas nanoplanchas, pero sigue siendo una versión específica de GAAFET.
Vía: Videocardz.
