Durante las últimas semanas ha habido ciertos rumores que apuntaban a que Samsung podría haber retrasado varios años el lanzamiento de su proceso litográfico de 3 nm. Eran rumores basados en un comentario de un directivo de Qualcomm, aunque los planes de Samsung no han cambiado como ha indicado la compañía en una conferencia en China, aunque ha actualizado su itinerario y ha hecho algunos comentarios al respecto.
El proceso de 3 nm de Samsung cambia la estructura de los transistores a la GAA o de puerta amplia, que básicamente hace que el material que hace de puerta envuelva al canal haciendo que en la práctica se apilen varios transistores. En el caso de Samsung, en lugar de usar nanotubos como canal usa planchas, lo que aumenta la superficie de contacto con la puerta y mejora características eléctricas de los transistores. El proceso GAAFET de Samsung es conocido como MBCFET y es más complicado de fabricar que el GAAFET. Por contra, TSMC va a mantener los FinFET para su proceso de 3 nm, aunque Samsung tiene planeados para este año unos proceso de 4 nm que seguirá usando los FinFET.
En la siguiente transparencia de la conferencia sobre propiedad intelectual y ASIC que ha dado Samsung Foundry en China se muestra cuándo será la producción en masa de su proceso de 3 nm. Aparece solo el proceso de 3GAP (3 GAAFET mejorado) por lo que estaban tratando en ese momento, pero Samsung ha confirmado que el 3GAE (3 nm GAAFET temprano) entrará en producción en masa en 2022 como se tiene planeado tras retrasar un año su lanzamiento debido a la coyuntura sanitaria.
Samsung creó los fotolitos de prueba para el primer diseño hace unas semanas y ha empezado a probar la producción real con ese proceso de 3GAE. Eso sí, inicialmente no estará disponible para todos los clientes y es de prever que se usará sobre todo para fabricar diseños propios de Samsung Electronics para los distintos chips de comunicaciones y quizás algún Exynos. No hay datos concretos sobre el volumen de producción inicial a 3 nm.
En la conferencia también se ha mencionado el proceso de 4 nm LPP (bajo consumo mejorado) y se apunta a unas buenas mejoras de rendimiento, área y consumo respecto al proceso de 5 nm del 11 %, 24 % y 16 % respectivamente. Como siempre, son máximos y la mejora real dependerá de la implementación del diseño del chip. Es una mejora más que sustancial para la cual Samsung Foundry no ha indicado cómo la va a conseguir, pero estará lista para la producción en masa entre finales de este año y el primer semestre de 2022.
Vía: AnandTech.
