Samsung ha anunciado el desarrollo de la última versión del almacenamiento flash universal (UFS) de acuerdo con lo aprobado por la JEDEC. Esta UFS 4.0 promete llevar velocidades aún mayores al sector de la movilidad, el doble de la que dispone la actual UFS 3.1. Hace uso de la memoria V-NAND de séptima generación de la compañía en un pequeño empaquetado de hasta 11 mm × 13 mm × 1 mm.
La velocidad que alcanza esta memoria UFS 4.0 es de hasta 4200 MB/s de lectura secuencial y de hasta 2800 MB/s de escritura secuencial, duplicando los valores de la memoria UFS 3.1. También aumenta la eficiencia energética en un 46 %, consumiendo algo menos que la actual UFS 3.1 pero con velocidades muy superiores.
Esta memoria en realidad no es una novedad. Kioxia anunció en febrero sus chips de UFS 4.0 sin decir que eran 4.0 porque todavía no se había aprobado la especificación. Como esta, se basa en la interfaz física MIPI M-PHY 5.0 de dos canales de 23.2 Gb/s cada uno para un máximo teórico de 5.8 GB/s, poniéndolo en el rango de acción del almacenamiento PCIe 4.0.
Vía: TechPowerUp.
