Samsung está avanzando en el desarrollo de la memoria GDDR6 aunque en esta ocasión no lo hace en el plano de las frecuencias sino del encapsulado. Ha anunciado su GDDR6W, que se basa en un sistema denominado encapsulado ramificado a nivel de oblea (FWOLP, del inglés fan-out wafer-level packaging) con el cual crea una doble hilera de chips de DRAM para duplicar en la práctica el bus de los chips de GDDR6, pasando de ser de 32 bits a ser de 64 bits.
La idea detrás de esto es la de duplicar la capacidad de los chips pero también se duplica el ancho de banda. La parte de 'ramificado' del nombre del FWOLP se refiere a extender las salidas de los chips más allá de lo que ocupa el propio chip. En la siguiente imagen se puede ver esto en un corte trasversal del nuevo encapsulado, donde los chips de DRAM incluyen un par de capas de redistribución (RDL) y vías de comunicación de cobre entre ambas capas y los pines del encapsulado.
El formato final es incluso menos alto que la GDDR6 estándar al cambiar el sustrato por esa capa de redistribución. Samsung asegura que la GDDR6W es compatible pin a pin con la GDDR6 por lo que se puede cambiar en las placas de circuito impreso actuales sin hacer otros cambios. Salvo, claro está, el detalle de que el procesador gráfico debe entender que le viene una conexión de 64 bits en lugar de una de 32 bits, por lo que es para futuros diseños.
La capacidad de estos primeros chips es de 4 GB por chip (32 Gb). Tienen un 36 % menos de altura quedándose en los 0.7 mm, por lo que esto haría que en este caso de usarse en tarjetas gráficas sí precisaría modificar el disipador o añadir más grosor de almohadillas térmicas lo cual perjudicaría el calor de los chips. Samsung asegura que se conserva el rendimiento térmico de los chips de GDDR6 actuales.
Aquí es donde viene la comparación con la HBM2E. Un sistema con chips de GDDR6W puede alcanzar un ancho de banda efectivo similar al de la HBM2E, aunque usando solo el doble de chips. Ocho de GDDR6W con un bus total de 512 bits y una velocidad de 22 GT/s dan un ancho de banda total de 1.4 TB/s, mientras que cuatro de HBM2E tienen un bus de 4096 bits con una velocidad de 3.2 G/s lo que arroja 1.6 TB/s. La GDDR6W tiene un menor coste de encapsulado al no precisar de microcontactos eliminando a su vez la capa intermediadora.
La GDDR6W va a ser estandarizada por la JEDEC por lo que estará abierta a cualquiera que quiera producirla o usarla en sus diseños.
Fuente: Samsung.
