Cuando se habla de litografías se hace siempre referencia a nanómetros como unidad de medida del tamaño de los transistores. Realmente los transistores no miden eso, sino que es una equivalencia que se hace para dar sensación de que se avanza en las litografías. Algunas veces se avanza poco en su tamaño pero se mejoran otros aspectos y las compañías venden las litografías con un número menor de nanómetros. Para valorar las litografías con las que se producen los chips de memoria, que no usan transistores principalmente sino condensadores, se vuelve a hacer una equivalencia, por lo que al hablar de la litografía de los chips de DRAM se está haciendo una equivalencia de una equivalencia.

He soltado lo anterior porque Samsung asegura haber desarrollado el primer chip de DDR5 con una litografía «equivalente a 12 nm», especificando que se ha completado también la evaluación del producto para compatibilidad con las plataformas de AMD —me imagino que Ryzen 6000 de movilidad y Ryzen 7000, pero no lo especifica—.

Lo habitual en la industria es que se den rangos de equivalencia. Por ejemplo, cuando Micron habla de su proceso de 1Z nm es una equivalencia a una litografía de transistores de 12-14 nm, y los procesos 1α nm, 1ß nm, etc., son del orden de los 10 nm. Por eso que Samsung dé una equivalencia tan exacta de su proceso litográfico de memoria al de transistores siempre me resultará raro. El tema de fondo es que para producir memoria se tiene que hacer con procesos litográficos muy maduros porque tienen una nula tolerancia a fallos en el proceso de fabricación. Así que no se puede usar ni la maquinaria ni las técnicas más avanzadas del momento, sino que siempre se va varios pasos por detrás en la producción de la DRAM.

Volviendo al tema, los chips producidos por Samsung tienen una capacidad de 2 GB con una velocidad de hasta 7.2 GHz. La compañía indica que consume un 23 % menos que la generación anterior de DRAM, y por tanto «será ideal para las compañías de TI que persiguen operar de una manera más ecoamigable». La producción en masa comenzará en 2023. El proceso de 12 nm referido por Samsung hace uso de luz ultravioleta extrema para varias de las capas, lo cual también permite aumentar la productividad por oblea en un 20 %.