TSMC ha celebrado el inicio de la producción en masa de obleas con su proceso litográfico de 3 nm («N3» en nomenclatura de la compañía), pero ha tenido varios retrasos frente a cuando realmente tendría que haber entrado en producción. Aunque el proceso estaba totalmente desarrollado, estos retrasos suelen estar relacionados con la productividad, y aparentemente hay algunos analistas que vuelven a apuntar a ello en base a sus fuentes, que pueden ser perfectamente las del parque de al lado de su casa.
Sea como sea, se asegura que la productividad se situaría en una amplia horquilla del 60 % al 80 %, que es como no decir nada, aunque bien es cierto que no todos los diseños de chips son iguales ni arrojan la misma productividad. Por ejemplo, si usan más condensadores de lo habitual, eso puede hacer que un diseño tenga una productividad menor que frente a un diseño que esté íntegramente compuesto de transistores. Estos aspecto no se indican cuando estos analistas hablan de la productividad del proceso de TSMC.
Aunque un 60 % es algo bajo para una litografía en producción, se contrapone al dato que se ha mencionado de Samsung con su proceso de 3 nm GAA en sus etapas iniciales y que estaría entre un 10 % y un 20 %. No se menciona en qué productividad está ahora mismo, una vez que no está en las etapas iniciales, por lo que las comparaciones de productividades en distintas etapas no aportan nada. Otros rumores apuntan a que Apple sería la única que está usando el nodo de 3 nm de TSMC, mientras que el resto de clientes van a esperar al N3E.
Fuente: Business Next. Vía: Tom's Hardware.
