Samsung ha dado un paso más en la carrera por aumentar la densidad de memoria por módulo de DDR5, y tras anunciar hace unos meses el desarrollo de chips de 16 Gb (2 GB) que permiten crear módulos de 64 GB, la compañía ahora ha dado un buen salto adelante con sus nuevos chips de 32 Gb (4 GB). Esto habilitará la fabricación de módulos de DDR5 con una capacidad de 128 GB por módulos. Actualmente en el sector consumo están disponibles módulos de 48 GB de capacidad.
Estos chips de memoria están fabricados en una litografía equivalente a unos 12 nm, que es una tecnología con la que espera crear chips de DRAM que en algún momento habiliten la fabricación de módulos de 1 TB. El proceso no es especialmente puntero si se compara con el de los procesadores, pero se precisan de litografías estables porque los chips de memoria tienen cero tolerancia a fallos. Sobre todo cuando apilan capas y capas de DRAM para crear estos chips de alta capacidad.
El tamaño del encapsulado es igual al de los chips que produce actualmente por lo que los fabricantes de módulos de RAM podrán usar las mismas PCB y simplemente usar estos en lugar de otros chips de DRAM. Según la compañía, el consumo de estos módulos será un diez por ciento inferior al no necesitar vías a través de silicio (TSV) para conectar varios chips de DRAM con la idea de alcanzar esos 128 GB por módulo.
Vía: TechPowerUp.
