Samsung y otras compañías están preparando lo que van a presentar en la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (SSCC) de febrero, y una de las novedades de la surcoreana va a ser su V-NAND de 280 capas. En este caso, es de tipo QLC (cuatro bits por celda), lo que supone un importante aumento de densidad respecto a la TLC (tres bits por celda). Entre la cantidad de capas y la densidad, eso permitiría dar un salto en la capacidad de las SSD de tipo M.2 2280 del sector consumo.
Ese salto sería hasta los 16 TB de capacidad, frente a los 8 TB actuales de algunas unidades. La densidad de bits por milímetro cuadrado pasaría a 28.5 Gb, y las pastillas de que se componen estos chips es de 128 GB. Su producción empezará este año, así como las SSD que los usen. Pero la ventaja es que permitiría una nueva reducción en el coste por giga de las SSD, o al menos que no suban como se está pronosticando.
Samsung también tiene planeado hablar de sus chips de DDR5 que funcionan a 8000 MHz, en un momento en que lo estándar para este tipo de memoria son los 6000 MHz, además de que es el punto dulce para los Ryzen 7000 y 8000G. Estos chips, que van a llegar además en una capacidad de 4 GB, también permitirán crear módulos de 64 GB y 96 GB, para un máximo por equipo de 256 GB frente a los 192 GB actuales. No afectará a muchos usuarios, pero permitiría tener 128 GB con solo dos módulos, consiguiendo así la máxima velocidad de funcionamiento de la memoria de un equipo.
Vía: Tom's Hardware.
