Samsung está claramente por detrás de Intel y TSMC en cuanto a procesos litográficos, porque el que casi nadie se atreva a contratar producción a 3 nm de Samsung Foundry es un indicativo de que algo está mal en el trabajo de sus ingenieros. Por eso la compañía tiene puesta la mirada en el proceso de 2 nm, que incluiría importantes mejoras en todos los terrenos, y añadiría nuevas tecnologías como la entrega trasera de energía a los transistores.
En este sistema la entrega de energía se hace directamente a los transistores, que en la fabricación de las obleas son lo primero en crearse, quedando en la parte inferior o trasera de la oblea, y el sistema de entrega de energía se hace desde arriba hasta abajo atravesando los distintos componentes del chips. Con este sistema de entrega de energía se crean vías directas para entregar la energía directamente a la parte inferior, lo cual mejora, entre otras cosas, la estabilidad en la señal entregada. Esto hace que la litografía y el diseño de los chips sea bastante más complejo, que es por lo que no se ha hecho antes y con la entrega superior de energía era suficiente.
Probablemente Samsung se precipitó al hacer el cambio a los GAAFET porque realmente no han servido para llamar la atención del sector. Ahora el sistema trasero de energía le permitiría algunas mejoras adicionales, como por ejemplo una reducción del área lógica de los chips hasta en un 19 %.
Vía: WCCFTech.
