No parece que la entrada de Intel en el sector de las fundiciones de chips vaya a cambiar el panorama a corto plazo, por lo que TSMC no ha modificado nada sus planes. Entre ellos está la entrada en producción en masa de obleas usando su proceso de 2 nm (N2) en la segunda mitad de 2025, pero también está desarrollándose según lo esperado la segunda generación, N2P, que estará lista en la segunda mitad de 2026.
Este N2P aportará un 15-20 % de frecuencia adicional, una reducción de consumo del 30-40 % y un aumento de densidad del 15 % respecto al N3E, lo cual animará a los diseñadores de chips a cambiar a este proceso litográfico.
La compañía ha indicado que el rendimiento de sus GAAFET basados en nanoláminas está ya en el 90 % del que esperan para el N2, mientras que la productividad de las celdas de SRAM de 256 Mb superan el 80 %. Esto último significa que en un par de meses han subido la productividad en diez puntos porcentuales, y que tienen un año para conseguir aumentar la productividad lo máximo posible. En marzo de 2023 la productividad estaba en el 35 %.
Este proceso litográfico entró en pruebas hace un año y desde entonces TSMC ha indicado que ha habido el doble de salidas a fotolitos de diseños de chips de los que hubo con el de 5 nm (N5), el que hasta ahora más interés levantó entre los clientes de la compañía. TSMC espera que en este segundo año de pruebas haya un 160 % más de salidas a fotolitos que en el segundo año del N5. Está siendo mucho más popular que el proceso de 3 nm.
Vía: AnandTech.
