Samsung fue la compañía que dio inicio a la era de las chips de NAND 3D con su V-NAND, y el resto de compañías tardaron un poco en copiarle pero es la norma ahora mismo. En un momento en el que la compañía está produciendo chips de NAND 3D de 286 capas, ahora tiene puesta la mirada en una futura generación de V-NAND con la que alcanzará las 400 capas de memoria por chip. La producción de esta V-NAND comenzaría en 2026 de acuerdo a la compañía, y sería la undécima generación frente a la novena generación actual.
El itinerario de la compañía también contempla alcanzar las 1000 capas para 2030, que no representaría gran problema tras salvar el escollo de las 400 capas. Para esta V-NAND necesita superar algunos problemas de conexión de las distintas capas y a nivel del controlador para maximizar el paralelismo en la lectura y escritura, pero prácticamente lo tendría superado mediante la fabricación por separado de la parte de los circuitos periféricos y de las capas de memoria. Luego las uniría con una técnica de unión de chips en vertical, que sería igual para llegar hasta las mil capas.
Vía: TechPowerUp.
