SK Hynix ha presentado sus chips de HBM3E de dieciséis capas con los cuales puede conseguir una capacidad de 48 GB por chip. Esto también le preoporciona un ancho de banda que alcanza los 1.28 TB/s, y está destinada a satisfacer la demanda de aplicaciones avanzadas de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. Aunque se espera que el mercado para memorias de 16 capas se amplíe con la próxima generación HBM4, SK Hynix planea ofrecer muestras a sus clientes de esta HBM3E a principios del próximo año.
La compañía ha utilizado una tecnología de encapsulado de relleno inferior moldeado por reflujo en masa (MR-MUF) que ya permitió la fabricación de chips de doce capas. Hace referencia a cómo se unen los chips de memoria a su PCB. El término reflujo hace referencia a cómo se aplica el material de relleno, en este caso en forma líquida, y luego se calienta para que fluya y se adhiera adecuadamente en los espacios entre el chip y la PCB.
Además, SK Hynix ha trabajado en la tecnología de unión híbrida como respaldo. Los productos de dieciséis capas ofrecen mejoras de rendimiento del 18 % en el entrenamiento de IA y del 32 % en tareas de inferencia en comparación con los modelos de doce capas, lo cual beneficia al mercado de aceleradores de IA para inferencia.
Además de la HBM3E, SK Hynix está desarrollando el módulo LPCAMM2 para PC y centros de datos, así como LPDDR5 y LPDDR6 basadas en tecnología de 1c nm. La compañía también tiene en marcha proyectos como SSD PCIe de sexta generación, SSD empresariales de gran capacidad basados en QLC y UFS 5.0.
Para la próxima generación HBM4, planea colaborar con una fundición global líder en chips lógicos para incorporar modificar el chip base para mejorar la velocida de esta memoria. La empresa está trabajando también en memorias computacionales que integran funciones de procesamiento cerca de la memoria (PNM), procesamiento en memoria (PIM) y almacenamiento computacional para minimizar la latencia en el movimiento de información, y por tanto la velocidad de cómputo.
