Los semiconductores, al menos los de uso general, se basan principalmente en el silicio debido a lo práctico que es: es un semiconductor muy estable y es terriblemente barato. Pero tiene sus límites en las litografías actuales. Hay materiales mejores que el silicio para usar de semiconductores en chips, y los investigadores de la Universidad de Pekín han publicado en Nature una investigación sobre la creación de transistores con un compuesto de bismuto.
Se trata del Bi2O2Se (diseleniuro de bismuto oxigenado), un semiconductor con alta movilidad eléctrica con una estructura bidimensional en lugar de tridimensional como el silicio, siendo además flexible y muy delgado. El problema es que es un semiconductor más caro, sin ser caro de verdad, pero ayudaría a resolver los problemas que presenta el silicio por debajo de 1 nm. El Bi2O2Se tiene crecimiento epitaxial para integración 3D, por lo que no es un problema a la hora de crear otras estructuras para su uso en transistores posteriores a los GAAFET (transistores de efecto de campo de puerta envolvente), necesarios para bajar de 1 nm.
La puerta del GAAFET rodea al canal en el que se pasaría de usar silicio a usar Bi2O2Se. Con el mayor control del canal que permite la puerta envolvente, lo cual reduce pérdidas y por tanto genera menos calor y consumo, combinada con la mayor movilidad del Bi2O2Se, la movilidad alcanza los 280 cm2 V−1 s−1, muy alta, frente a los 1400 cm2 V−1 s−1 del silicio, que es una movilidad moderada. La investigación es el primer paso a un nuevo tipo de transistor, por que estaría por ver que China pudiera fabricar obleas con este material. Pero me imagino que ya estarán en ello desde hace tiempo si han publicado esto en Nature.
Fuente: Nature. Vía: Tom's Hardware.
