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Samsung está haciendo progresos en la memoria de vídeo con la GDDR6W, pero el futuro próximo traerá una GDDR7 en la que habrá que cambiar la modulación de la información para aumentar el ancho de banda de la memoria. La compañía ha indicado recientemente algunas novedades de esta memoria, como por ejemplo que usará la codificación PAM3 lo cual habilitará un importante aumento de la velocidad de transferencia.

Samsung está avanzando en el desarrollo de la memoria GDDR6 aunque en esta ocasión no lo hace en el plano de las frecuencias sino del encapsulado. Ha anunciado su GDDR6W, que se basa en un sistema denominado encapsulado ramificado a nivel de oblea (FWOLP, del inglés fan-out wafer-level packaging) con el cual crea una doble hilera de chips de DRAM para duplicar en la práctica el bus de los chips de GDDR6, pasando de ser de 32 bits a ser de 64 bits.

Samsung se ha adelantado a TSMC en la producción a 3 nm pero ninguna de ellas está consiguiendo producir a alto volumen como para que sus clientes pueden poner productos en el mercado. Aun así, aunque los diseñadores de chips prefieren a TSMC, la incertidumbre geopolítica está haciendo que diversifiquen la producción de sus diseños, y eso solo pasa por llevar algunos a Samsung Foundry. La surcoreana ya tendría asegurados como clientes a NVIDIA, IBM, Qualcomm y Baidu, aunque cada una para sectores distintos.

Apple necesita más chips de NAND pero el Congreso de los EUA le ha cerrado la puerta a un proveedor chino por temor a depender más del país asiático con el que está en una guerra económica. Por eso a Apple no le ha quedado más remedio que hacer nuevamente negocios con Samsung, una empresa que ha evitado como la peste desde la guerra judicial que inició Steve Jobs hace más de una década y que finalizó en tablas hace unos años.

Samsung sigue intentando atraer a clientes a su fundición de chips, Samsung Foundry (SF), aunque está teniendo un resultado desigual. Sus procesos litográficos punteros no lo son tanto como los de TSMC, por lo que no parece casual que un mero cambio de un proceso de 4 nm de Samsung a uno de 4 nm de TSMC produzca una gran reducción del consumo y mejora de frecuencias como pasó con el Snapdragon 8+ Gen 1. Aun así, el proceso de 3 nm de SF es bastante mejor y la compañía espera obtener nuevos clientes… con un poco de ayuda.

Sasmung fue quien inició la era de los chips de NAND 3D con su denominación de NAND vertical (V-NAND), que era simplemente llevar el apilado de capas de memoria bastante más allá de las habituales cinco o seis capas a varias decenas. Y ya va por la octava generación, la cual se ha empezado a producir en masa para una nueva tanda de unidades de estado sólido de la compañía.

Samsung cuenta con una enorme producción propia de chips para su enorme variedad de productos, pero se le ha resistido el diseño de procesadores para sus móviles. Los Exynos pueden ser sistemas en chip aceptables para la gama media, pero no ha conseguido competir adecuadamente con el mejor modelo del año de Qualcomm. Por eso son buenas noticias que Samsung haya tirado la toalla y que su serie insignia de móviles solo vaya a incluir procesadores Snapdragon.

Samsung sigue evolucionando su RAM con un nuevo chip bastante interesante para dispositivos móviles y de bajo consumo. Se trata de uno de memoria LPDDR5X que en esta ocasión alcanza los 8.5 Gb/s y que ha sido validado para su uso con los procesadores Snapdragon. Actualmente la compañía tenía en el mercado chips de LPDDR5X de 7.5 Gb/s, pero los de 6.4 Gb/s están mucho más extendidos entre dispositivos móviles al acompañar a los procesadores Snapdragon más potentes.

Samsung ha estado hablando de sus próximas tecnologías en el Tech Day 2022 que este año se ha vuelto a celebrar de manera presencial. Aunque no ha entrado en datos técnicos de lo anunciado, sí ha indicado que está desarrollando una nueva versión de la memoria de vídeo, la GDDR7, que debería llegar inicialmente a una velocidad de hasta 36 Gb/s. La anterior vez que habló de esta memoria indicó que la tenía en desarrollo con velocidades de hasta 32 Gb/s.

Samsung está inmersa en la producción en masa de chips a 3 nm, pero de manera bastante limitada. Su itinerario de desarrollo de nuevos procesos litográficos abarca hasta finales de década, y el siguiente proceso del que ha querido hablar es del de 1.4 nm. Según la compañía, estará listo para fabricación en masa en 2027. Será un par de años después de que Intel tenga listo su proceso de 1.8 nm, mientras que TSMC no ha hablado tan a futuro de sus procesos litográficos, solo del de 2 nm que debería estar listo para 2024.