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Samsung ha puesto a la venta un par de monitores nuevos muy similares pero con un cambio de tamaño de panel. Son los de la serie Odyssey G4 G40B, en tamaños de 63.5 cm (25 in) y 68.6 cm (27 in). El panel es IPS, de resolución FHD, con un refresco de 240 Hz y 1 ms de tiempo de respuesta.

Samsung ha anunciado la puesta a la venta de dos monitores para juegos que darán un gran rendimiento en HDR. Ambos son casi idénticos, salvo un poco el apartado estético, y la diferencia es que el Odyssey Neo G7 G75NB tiene un refresco de pantalla de 165 Hz mientras que el Odyssey Neo G8 G85NB tiene un refresco de 240 Hz. Puesto que son paneles con resolución 4K, es el primero en llegar al mercado con 4K y 240 Hz.

Los últimos paneles OLED anunciados por Samsung han venido a resolver distintos problemas de esta tecnología con los QD-OLED (OLED de punto cuántico) y los nuevos modelos que llegarán en el futuro cercano abaratarán más su coste y aumentarán su durabilidad. Por eso Samsung Display lo va a apostar todo por los paneles OLED, dando por finalizada la producción de paneles LCD a partir de este mes. Al menos si lo indicado por Korea Times es cierto.

Intel venía de una situación bastante mala en el terreno de los chips, con una infraproducción que llevó a Pat Gelsinger y a los directivos de la empresa a diseñar una nueva estrategia para cubrir la demanda del mercado. Eso ha incluido el uso de una fundición como es TSMC para producir ciertos chips, pero no parece que se vaya a detener ahí. Pat Gelsinger, el director ejecutivo de Intel, se ha reunido con varios presidentes de empresas del entramado de Samsung para estrechar la colaboración con ellas.

Samsung lleva tropezando varios años en la misma piedra en sus teléfonos Galaxy y es empeñarse en convertirse en alternativa a Qualcomm en la gama alta. Pero como ha demostrado el Exynos 2200, no está a la altura. Por eso muchos rumores apuntaban a que Samsung solo optaría por un Snapdragon para los Galaxy S23 y S24, aunque ahora llegan rumores en sentido contrario, que habrá un Exynos 2300 para el Galaxy S23.

Samsung ha anunciado el Galaxy M13 orientado a la gama media-baja. Es un móvil sencillo, con marcos generosos y una pantalla de 16.8 cm (6.6 in) con una resolución de 1600 × 720 píxeles y una muesca tipo gota de agua para la cámara frontal. El procesador es un Exynos 850 con al menos 4 GB de RAM y 64 GB de almacenamiento, más un lector de tarjetas micro-SD. Llega con Android 12 preinstalado.

Samsung está estableciendo las bases de su futuro crecimiento como corporación y no solo en el terreno de los semiconductores. En este ya tiene planeado gastar más de 100 000 millones de dólares en los próximos años, a lo que se va a unir la inversión en muchas otras áreas según ha dado a conocer la compañía. En total va a movilizar 356 000 millones de dólares hasta 2026 para expandir la producción e investigación.

Si hace unos días hablaba de la subida de precios que podría introducir TSMC para 2023, ahora toca hablar de Samsung Foundry, la otra gran fundición de procesos punteros hasta que Intel Foundry Services eche a andar. La firma surcoreana estaría planeando una subida de precios similar, que se situaría entre el 15 % y el 20 % dependiendo del nivel de sofisticación del proceso litográfico. Como es habitual, los procesos más maduros y baratos sufrirían las mayores subidas, con los procesos punteros siendo subidos una cantidad más comedida.

Applied Materials es una de las principales empresas de producción de maquinaria usada en la producción de semiconductores, porque no empiezan y terminan en los escáneres utilizados para transferir los patrones a las obleas. Hay muchas otras maquinarias implicadas en el proceso, y la primera empresa en utilizar las adecuadas de Applied Materials para los procesos de 3 nm e inferiores con transistores de puerta amplia (GAAFET) es Samsung.

Samsung ha anunciado el desarrollo de la última versión del almacenamiento flash universal (UFS) de acuerdo con lo aprobado por la JEDEC. Esta UFS 4.0 promete llevar velocidades aún mayores al sector de la movilidad, el doble de la que dispone la actual UFS 3.1. Hace uso de la memoria V-NAND de séptima generación de la compañía en un pequeño empaquetado de hasta 11 mm × 13 mm × 1 mm.