Los mayores fabricantes de memoria NAND están con la mirada puesta en la memoria tipo QLC o cuatro bits por celda, que permite duplicar la capacidad de los actuales chips NAND. Samsung ha indicado que también está desarrollando su propia V-NAND o NAND 3D de tipo QLC, y que la usará para una unidad con conector SAS de 128 TB, a ser presentado el próximo año.
Este conector es usado a nivel empresarial y no a nivel de consumidor. Estos chips V-NAND tienen un tamaño de 1 TB gracias a un proceso de encapsulado que permite incluir 32 pastillas de V-NAND en cada paquete. La ventaja de esto es que cada chip será mucho más rápido gracias a un nivel mayor de paralelización, aunque la velocidad de cada pastilla apilada será menor de manera individual.
La desventaja es que al incluir más rangos de voltajes posibles por celda —cada posible valor se guarda como una tensión determinada—, la durabilidad de los SSD tipo QLC se puede ver reducida, y se hará necesario mejores controladores para gestionarla. Al borrar cada celda se va degradando, y es cada vez más difícil leer el voltaje guardado en ella.
Vía: Tom's Hardware.
