Intel está haciendo una gran apuesta por los 10 nm, aunque ha tenido que salvar más escollos de los que ha tenido que superar Samsung para producir chips a ese nivel de integración. Sin embargo, viene acompañada de una mejora sustancial —según la compañía— como es el hiperescalado, que le permite producir chips a 14 y 10 nm pero aumentando hasta un 170 % la densidad de transistores por chip.
Eso lleva a chips más pequeños, por lo que de las obleas se extraen más, reduciendo costes y mejorando el rendimiento de producción. Hace un par de semanas la compañía mostró la primera oblea de producción fabricada en un nodo de 10 nm, y de la que se extraerán chips para FPGA con nombre Falcon Mesa —que usarán además PCIe 4.0 y enlaces de 112 Gbps—. Ahora ha mostrada una oblea mucho más interesante para el usuario final ya que incluye chips de memoria NAND 3D, usada en los SSD —y con la escasez actual, aumentar su producción es muy bien recibido—.
Son chips de 64 capas e inicialmente se venderán al sector empresarial para soluciones de centros de datos. Se pondrán en manos de sus socios antes de final de año, aunque ya están siendo utilizados por los socios preferentes de la compañía.
Intel también ha aprovechado para revalidar el acuerdo entre la división de Fundición Personalizada, a través de la cual se abrieron las puertas de sus fundiciones de chips a terceros, y que se ha materializado en sistemas en chip (SeC) para la compañía inglesa ARM. El resultado son obleas a 10 nm con chips que incluyen núcleos Cortex-A75 con una frecuencia de reloj que supera los 3 GHz.
Vía: TechPowerUp.
