TSMC ha tenido un gran éxito en el último año gracias a su proceso litográfico de 7 nm, y eso ha llevado a plazos más largos de entrega de los pedidos a las compañías. Por eso se esperaba que la compañía gastara en torno a los 10 000 millones de dólares para expandir su capacidad de producción, pero finalmente ha indicado que la inversión total de este 2019 será de un 36 % a un 40 % superior de lo inicialmente planeado.
Eso situará la inversión en torno a los 14 000 millones de dólares, que se invierte en los distintos procesos de 7 nm, 6 nm y 5 nm, aunque varios de ellos llegarán en los próximos meses al mercado. Por ejemplo, los 7 nm (N7) incluyen el base, el mejorado N7P que aporta en torno a un 7 % más de potencia, y el 7 nm+ (N7+) que ha llegado hace poco al mercado.
Del aumento de inversión, 1500 M$ irán destinados a aumentar la capacidad de los 7 nm, y 2500 M$ para el de 5 nm (N5), por lo que se prevé que va a tener mucho tirón inicial por parte de las compañías más pudientes que se puedan permitir un proceso litográfico puntero. Este proceso N5 se usará luz ultravioleta extrema en hasta catorce capas durante la fabricación de las obleas. Se espera que empiecen a entregar chips a sus clientes a N5 en el segundo trimestre de 2020.
Por otro lado, la compañía ha proporcionado información sobre la distribución de nodos litográficos que tiene en producción por plataforma y por tecnología litográfica. Se puede ver que los chips para móviles suponen el 49 % de lo que producen, y para la computación de alto rendimiento el 39 %, y el tercer sector más popular es el del internet de las cosas con el 9 %.
Por otro lado, el nodo más popular ha pasado a ser el de 7 nm con un 27 % de lo que produce la compañía, seguido de un 22 % para chips a 16 nm, y un 16 % el de 28 nm —este y otros proceso asentados y baratos se usan para chips de comunicaciones, sensores, etc.—. El proceso de 10 nm apenas supone un 2 % de lo que produce TSMC, y demuestra que la mayoría de compañías han pasado ya de los 10 nm a los 7 nm.
Vía: AnandTech.
