La mayor parte de la producción de chips a nivel mundial se hace con procesos litográficos maduros, o sea, poco o nada punteros. Si TSMC ha estado hablando de los 3 nm y 2 nm en su convención tecnológica anual, ha tenido tiempo para hablar de sus planes para esos procesos maduros. Pasan principalmente por aumentar la capacidad de producción un 50 % en los próximos tres años, aunque en ello incluye también los procesos litográficos especializados, versiones orientadas a otros tipos de chips fabricados con obleas con tipos de dopado menos frecuentes o con estructuras analógicas.
Los procesos litográficos especializados usan otras estructuras que no tienen por qué ser transistores, por lo que se construyen de forma distinta. TSMC planea invertir en múltiples fábricas para crear nuevos edificios o añadir líneas de producción.
La principal expansión será en la Fab 23 en Kumamoto (Japón) para producir más con los procesos N12, N16, N22 y N28 con otras 45 000 obleas de 30 cm al mes. También ampliará las Fab 14 de Tainán (Taiwán), Fab 22 de Kaohsiung (Taiwán) y Nankín (China).
El problema de fondo de aumentar la producción de estos nodos especializados y maduros es que su demanda va a aumentar mucho y muy rápidamente. Los vehículos eléctricos incluyen ahora cientos de chips pero los próximos modelos podrían llegar a necesitar 1500 cada. Pero también se va a aumentar la demanda de sensores, radares, chips de comunicaciones, chips de gestión de energía, audio, pantalla y de todo tipo, por lo que TSMC se está asegurando de poder cubrir la demanda de la mejor forma posible. Son chips que van desde los 350 nm hasta los 6 nm, por lo que son de tipos y procesos litográficos muy variados.
Vía: AnandTech.
