A partir del 11 de junio las empresas de semiconductores se verán las caras en el Simposio de Circuitos y Tecnología de VLSI, y se esperan novedades interesantes en el frente de los procesos litográficos. No darán información exhaustiva, pero sí es una convención en la que se da información más clara sobre los principales problemas por los que atraviesa el sector y cómo intentan resolverlos. Samsung Foundry va a dar más detalles de su proceso de 4 nm de alto rendimiento (SF4X), que es uno de varios de los que está preparando.
En la reunión también tratará de poner al día a los asistentes sobre los procesos de 3 nm y 2 nm que tiene en desarrollo, aunque su itinerario alcanzar hasta el de 1.4 nm, 14 Å o SF1.4 como parece que lo va a llamar por ahora de manera interna. Volviendo al proceso SF4X, es una litografía que está pensada para permitir frecuencias más altas, con una estabilidad mayor de la alimentación. Para conseguirlo se precisa que sea un proceso litográfico más eficiente y con una mejor gestión de voltajes. Está totalmente orientado a computación de alto rendimiento.
Samsung solo ha dicho por ahora que estima que este proceso litográfico proporcionaría un 10 % más de rendimiento con un 23 % menos de consumo, aunque no ha indicado respecto a qué proceso. Las mejoras provendrían de un rediseño pormenorizado de la forma en que se alimentan los transistores y de cómo se mueve la energía a través de las capas intermedias de los chips. Eso permitiría reducir a solo 60 mV el voltaje mínimo, un voltaje por encima de un voltio sin degradación del rendimiento, y mejoras a la SRAM. Este proceso litográfico llegaría en 2024 si el desarrollo marcha de la manera adecuada.
