El mercado de la memoria de alto ancho de banda (HBM) ha cobrado especial relevancia debido a la creciente demanda de procesamiento intensivo en aplicaciones de inteligencia artificial y servicios en la nube. Empresas tecnológicas como Meta y Microsoft necesitan soluciones cada vez más avanzadas para optimizar sus infraestructuras y mantenerse competitivas en este entorno de rápida evolución. En este contexto, Samsung estaría trabajando en el desarrollo de soluciones personalizadas de HBM4 para ambas compañías.
La HBM4 ofrecerá una capacidad de transferencia de datos muy superior a generaciones anteriores con un bus que será de 2048 bits en lugar de 1024 bits, y a frecuencias de hasta 10 Gb/s. Aunque no se ha realizado un anuncio oficial por parte de Samsung Electronics, fuentes indican que la colaboración tiene como objetivo mejorar tanto el rendimiento como la eficiencia energética de las operaciones de Meta y Microsoft, y se integrarían en sus procesadores Artemis y Maia 100.
Parte del avance sería el uso de chíplets distintos para la parte lógica y la de las celdas de memoria, lo cual facilitaría también la conexión y el apilamiento de las capas de memoria. Para el chíplet lógico usaría el proceso de 4 nm de Samsung Foundry, mientras que para las celdas de memoria uno equivalente a 10 nm, el 1c de sexta generación de la compañía. Debido a que las celdas de memoria necesitan la máxima fiabillidad su producción se hace con litografías maduras.
Vía: WCCFTech.
