TSMC está ultimando el desarrollo de su proceso litográfico de 2 nm, que es la evolución natural del de 3 nm. Incluirá cambios mayores, como los transistores de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET), usados por Samsung en su proceso de 3 nm pero que aun así no ha servido para tener éxito con él por una baja productividad. TSMC es todo lo contrario, porque en las últimas optimizaciones realizadas por la compañía habrían conseguido un aumento de la productividad de seis puntos porcentuales.
Sería un gran salto en este terreno para el estado de desarrollo del proceso litográfico que pinta bastante bien para la compañía. La decisión de retrasar la adopción de los GAAFET ha jugado muy a favor de la compañía para poder desarrollar mejor una tecnología que es puntera. El proceso de 2 nm entrará en producción en masa en la segunda mitad de 2025.
Según la compañía, el proceso de 2 nm, frente al proceso mejorado de 3 nm (N3E), proporciona en torno a un 25-30 % de reducción de consumo a misma frecuencia, o permite un 10-15 % más de rendimiento a mismo consumo, con una densidad de los chips que será al menos un 15 % mayor.
Vía: Tom's Hardware.
