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Kioxia y Western Digital son un tándem en el sector de la memoria flash que acapra el 30 % de la producción mundial en lo referente a capacidad total. Ahora han aprovechado el ISSCC para anunciar que han desarrolla nueva memoria NAND 3D de 162 capas, pero con algunas ventajas adicionales que reducirán el coste por bit. Al final lo que hacen las compañías de memoria flash es crear procesos litográficos y de fabricación que les permitan mejorar esa densidad, ya sea reduciendo el tamaño de los transistores y otros componentes como reubicándolos.

Aunque los móviles siguen aumentando año tras año el mínimo que tienen de almacenamiento interno, aquellos que hacen un uso intenso de sus cámaras para grabar vídeo suelen recurrir a una micro-SD para expandir la capacidad. Kioxia, la antigua Toshiba Memory, tiene productos como la tarjeta Exceria High Endurance que me ocupa en esta reseña, y es a grandes rasgos un modelo interesante dentro del mercado actual.

Kioxia, la antigua Toshiba Memory, sigue teniendo uno de los catálogos de memorias USB más extenso del mercado. Entre los nuevos modelos con el nuevo marcado y embalaje está la TransMemory U365 de 128 GB de este artículo, y se trata de un modelo pequeño y fiable. Voy a empezar destacando el embalaje, un blíster con un sistema de abrefácil por la parte trasera, en el que se rasga el cartón por un lado y se puede sacar fácilmente la memoria USB. Es habitual en otros productos similares tener que recurrir a unas tijeras, y eso siempre me resulta molesto.

Kioxia, la antigua Toshiba Memory, ha anunciado nuevas unidades de estado sólido (SSD), las XG7 y XG7-P, que hacen uso de la última memoria BiCS de la compañía para crear una serie de unidades M.2 2280 con una capacidad de hasta 4 TB. La interfaz es una PCIe 4.0 ×4 que según la compañía permite hasta un 60 % más de velocidad que la serie XG6, por o que alcanzará en torno a los 6.3 GB/s de lectura secuencial y 4.6 GB/s de escritura secuencial.

Los centros de datos tienen otros ritmos y otros tamaños a manejar en los dispositivos que usan, y las nuevas tecnologías relacionadas con ellos suelen mostrarse en el VLSI Technology Symposium. VLSI es la sigla en inglés de 'integración a escala muy grande', o la zona de negocios que se mueve en torno a la fabricación de chips con, hoy en día, cientos de millones o billones de transistores. Por tanto, son chips especialmente grandes, y no es la primera vez que se presenta un chip que abarca casi toda la superficie de una oblea estándar de 30 cm.

Los móviles que disponen de almacenamiento tipo UFS están tan solo un paso de las velocidades de las unidades de estado sólido. En los dispositivos móviles se puede notar una sustancial mejora de fluidez, al abrir aplicaciones o en su uso, frente al más tradicional almacenamiento eMMC. La última especificación aprobada en este terreno es la UFS 3.1, y Kioxia / Western Digital ya tienen listos los primeros chips.

Kioxia, la antigua Toshiba Memory, ha anunciado sus primeras unidades de estado sólido (SSD) de tipo PCIe 4.0, y son modelos para empresas y centros de datos. La serie CD6 es más económica y algo más lenta que la CM6, pero ambas son muy similares.

Los productos de memoria NAND están atareados aumentando la capacidad de almacenamiento por oblea producida y eso pasa irremediablemente por aumentar el número de capas de los chips. Western Digital y Kioxia, antigua Toshiba Memory, han anunciado una nueva memoria BiCS5—un acrónimo del inglés bit column stacked, o columna de bits apilada—, la cual cuenta con 112 capas frente a las 96 de la BiCS4.

Kioxia, la antigua sección de Toshiba para producción de memoria NAND, mantiene una fábrica junto a Western Digital, la cual ha sufrido un incendio de origen desconocido en una de las salas blancas de la fábrica 6 del complejo industrail de Yokkaichi (Japón). La compañía indica que empezó a las 6:10 a. m. del 7 de enero, y afectó a una de las herramientas de producción, la cual se vio dañada parcialmente.

Kioxia, el nuevo nombre de Toshiba Memory, ha mostrado sus avances en el terreno de la memoria flash usada en las unidades de estado sólido y son bastante interesantes. El principal es el cambio de la estructura de la celda en la que se almacena la información a un formato semicircular frente al formato circular actual, lo que lo convierte en un almacenamiento flash gemelo. El nombre de este tipo de memoria será Twin BiCS.