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G.Skill expande su línea de negocio de módulos de RAM con una serie que será interesante para aquellos que puedan sacar partido de módulos de baja latencia. En esta ocasión, esos módulos tienen unas latencias de 14-18-18-38 para una velocidad de 3200 MHz, siendo de lo más bajo del mercado.

La guerra comercial entre China y Estados Unidos está en un receso, y se está notando en diversas decisiones de posponer la entrada en vigor de nuevos aranceles y en que el Departamento de Comercio estadounidense está más receptiva a dar permisos temporales para comerciar con ciertas compañías que están en la lista de prohibidas, y eso incluye a Huawei.

Thermaltake ha expandido su catálogo de módulos de memoria con el nuevo diseño ToughRAM Z-One los cuales incluyen iluminación RGB direccionable (ARGB) a través de un disfusor de plástico superior y diez ledes. Esta serie arranca con un kit de dos módulos de 8 GB con una velocidad de 3200 MHz, y son perfectamente compatibles tanto con los procesadores Ryzen como los Core.

Finalmente China se ha metido en el sector del diseño y producción propia de chips de memoria a través de su compañía ChangXin, que llevaba unos meses probando la producción inicial de DRAM. Tras el veto de Estados Unidos a Innotron por espionaje industrial, otra empresa que estaba desarrollando su propia tecnología de DRAM, ChangXin se mantiene como la primera empresa que diseña y produce DRAM de China.

El panorama actual de memoria de acceso aleatorio (RAM) es bastante distinto del de hace uno a dos años. Los precios han ido bajando paulatinamente y están en un punto tan bajo como para encontrar 16 GB de DDR4-3200 por 60-70 euros, cuando hace un tiempo costaba más del doble. Pero todo sector toca fondo en sus precios en algún momento, y ese momento podría haber llegado ya. Tras lo cual, inevitablemente, llegará una subida de mayor o menor cuantía.

Los problemas de producción son habituales en el sector de los chips, y este año tuvo uno TSMC al recibir productos químicos en mal estado y Toshiba tuvo uno que echó al traste parte de la producción del tercer trimestre de memoria NAND. Ahora Samsung ha indicado que hace unas semanas tuvo problemas en la producción de obleas de 200 mm dedicadas a la producción de DRAM.

Rambus es una compañía muy asentada en el mundillo de los chips de memoria, aunque no se trata de un productor sino del que desarrolla la interfaz física —que veréis mencionada como «PHY» en algunos sitios— que conecta los chips con el resto de lógica que se precisa para que funcionen. Últimamente ha trabajado con Micron, uno de los fabricantes de chips de GDDR6 usada en las tarjetas gráficas de Nvidia y AMD, y en el próximo año también de la DDR5. Ahora ha anunciado que ha hecho funcionar memoria GDDR6 a 18 Gb/s.

Gigabyte ha metido la cabeza poco a poco en el mercado de otros componentes de PC, y entre ellos están los módulos de memoria DDR4. La compañía los anunció el año pasado, y ahora ha añadido un par de nuevos kits de dos módulos de 8 GB con velocidades de 3600 MHz, aunque el segundo kit incluye adicionalmente dos módulos de relleno que, que incluye el mismo aspecto y aporta la misma iluminación RGB para tener así los cuatro bancos de memoria rellenos de una placa base normal.

G.Skill sigue expandiendo su catálogo de módulos con unos muy interesantes para las plataformas de alto rendimiento de Intel y AMD. El nuevo kit que ha anunciado es de cuatro módulos de 8 GB (32 GB en total) que funcionan a una velocidad de 4000 MHz, pero tienen asegurada una baja latencia como es 15-16-16-16-36.

SK Hynix sigue el desarrollo de nuevos procesos litográficos para producir sus chips de memoria, y ahora ha anunciado la creación de chips de 16 Gb (2 GB) de DDR4 con uno de sus últimos procesos a 1z nm. Este proceso se sitúa en alguno entre los 12 y 14 nm. Llega unos cuantos meses después de que Micron anunciara los mismos, por lo que la competencia en este sector sigue viva.