Etiqueta: Memoria

ChangXin Memory Technologies (CXMT) es el principal productor de chips de memoria de China, pero se le estaba resistiendo la memoria DDR5. Aparentemente la compañía ya habría empezado la producción en masa de estos chips, lo cual permitiría a China empezar a aumentar su producción para autoabastecerse pero también para reducir el precio de los chips del sector. De ser así, los primeros módulos con chips de DDR5 de CXMT deberían aparecer en el mercado en el primer trimestre de 2025.

Team Group ha presentado los módulos Xtreem CKD que tienen un formato CUDIMM, que es como los habituales UDIMM pero integrando en el módulo el generador de reloj lo cual hace más estable la señal. Solo los Core Ultra 200S pueden usarlos de esta forma. Estos módulos se venden en kits de dos de 24 GB con una velocidad de 8800 MT/s con una latencia CAS de 42.

Corsair ha anunciado nuevos módulos de DDR5 en el formato CUDIMM, que es como el DIMM lo único que dentro del módulo se incluye el generador del reloj. Esto desactiva el del procesador o placa base con la idea de mejorar la estabilidad de funcionamiento a altas frecuencias. Por eso la serie Vengeance RGB CUDIMM va desde los 8000 MT/s hasta los 9200 MT/s, y no es de las series baratas.

Puede que Samsung no sea capaz de crear un proceso litográfico competitivo para crear chips lógicos, pero en el terreno de los chips de memoria la situación es distinta. Bueno, a medias. Con la cara HBM ha tenido algún problema con la generación más moderna que le ha llevado a retrasos en su validación por parte de NVIDIA, el gran comprador de este tipo de memoria, pero con la GDDR7 no tiene ninguno. De hecho, según los últimos rumores, ahora mismo NVIDIA solo habría validado la GDDR7 de Samsung para usarse con las RTX 50.

La industria de la DRAM ha experimentado cambios significativos debido a la guerra de los chips que se está librando entre China y EUA. Eso a llevado al país asiático a aumentar su producción para forzar el hundimiento de precios, lo cual podría llevar fuera del negocio a muchos fabricantes menores estadounidenses y de otros países. Así que no es de extrañar que empresas como Changxin Memory Technologies (CXMT) y Fujian Jinhua estén ofreciendo chips de DDR4 a precios hasta un 50 % más bajos que sus rivales surcoreanos, como Samsung y SK Hynix.

Apacer ha anunciado la serie NOX RGB de memoria DDR5. Tiene un diseño de 44 mm de altura, con dispersor de aluminio en color negro o blanco, y difusor de plástico en la parte superior con siete ledes de iluminación ARGB. Incluye las habituales características de este tipo de memoria, como el PMIC integrado y los chips con ECC integrado para la información que se mueve dentro de los propios chips.

En la búsqueda constante por optimizar el rendimiento de los sistemas informáticos, el procesamiento en memoria ha emergido como una solución prometedora para superar las limitaciones de la arquitectura tradicional de los PC. En ella se separa la CPU de la RAM, pero se enfrenta a desafíos significativos debido al creciente volumen de datos y la necesidad de mayores velocidades de procesamiento. El procesamiento en memoria (PIM) lleva a la RAM parte del procesamiento que realiza la CPU, pero faltaba alguna forma de simplificar el desarrollo de programas a ejecutar con PIM. Ahora existe PyPIM para que esta tecnología acelere su adopción.

AMD es bastante bien conocida por lanzar los procesadores y luego ir revisando el uso que hacen de la memoria. Es mucho más habitual en los procesadores de sobremesa a través de actualizaciones del BIOS que en portátiles, pero le ha tocado el turno a los Ryzen AI 300. Así que a partir de ahora el controlador de LPDDR5 que incluyen pueden usar chips de hasta 8000 MT/s en lugar de los 7500 MT/s anunciados inicialmente.

Acer no es el habitual fabricante de módulos de RAM, al menos en Occidente, porque en Oriente sí que tiene más repercusión. Ahora está con ganas de llamar la atención con su módulo Predator Hera de DDR5-9466, porque cuenta con un acabado en oro real. Es compatible con las tecnologías XMP 3.0 y EXPO. Tampoco le falta la iluminación RGB personalizable.

SK Hynix ha presentado sus chips de HBM3E de dieciséis capas con los cuales puede conseguir una capacidad de 48 GB por chip. Esto también le preoporciona un ancho de banda que alcanza los 1.28 TB/s, y está destinada a satisfacer la demanda de aplicaciones avanzadas de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. Aunque se espera que el mercado para memorias de 16 capas se amplíe con la próxima generación HBM4, SK Hynix planea ofrecer muestras a sus clientes de esta HBM3E a principios del próximo año.