Etiqueta: Memoria

SK Hynix sigue mejorando los nodos de producción de memoria, que por temas de fiabilidad no están tan evolucionados los de chips lógicos que los de memoria. Ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de su primer chip de memoria usando un nodo de 1c nm, que es algo así como 10 nm si se tradujera al término en función del tamaño de los transistores.

Aunque la DDR6, y su versión de bajo consumo LPDDR6, está de camino y llegará previsiblemente en algún momento de 2025, las compañías siguen mejorando la actual DDR5 y LPDDR5 en sus distintas versiones. Samsung ha hecho lo propio con su LPDDR5X, que es simplemente su LPDDR5 de mayor velocidad, en la que ahora le ha reducido su grosor un 9 % hasta dejarlo en 0.65 mm.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es de gran utilidad para los procesadores orientados a cómputo. Su producción se concentra en SK Hynix, Micron y Samsung, por lo que China tenía pendiente iniciar una producción propia. Se esperaba que la empresa que la estaba desarrollando, CXMT, iniciara su producción en masa de la HBM2 en algún momento de 2026, dentro de al menos año y medio, pero la compañía ha anunciado que la ha iniciado ya.

Las próximas generaciones de tarjetas gráficas de NVIDIA, AMD e Intel van a usar previsiblemente memoria GDDR7 para alguno de los modelos, empezando sobre todo por NVIDIA y su serie RTX 50. Es probable que no lleguen hasta principios de 2025, al menos según los últimos rumores, a lo cual apunta también los plazos de producción en masa de Samsung, Micron y SK Hynix. Esta última ha indicado que empezará con su producción en este tercer trimestre del año.

G.Skill ha anunciado un nuevo modelo de sus módulos Trident Z5 Royal Neo de alto rendimiento, que en este caso se centra en reducir la latencia CAS, la más característica de los subtiempos de un módulo de RAM. Los nuevos módulos llegan en kits de dos módulos de 16 GB o dos de 32 GB, siendo de DDR5 de 6000 MHz.

La JEDEC es la organización que se dedica a estandarizar todo lo relacionado con la RAM de las computadoras. Para poder sostener mejor el desarrollo de los chips de computación de alto rendimiento, en lo cual se incluye los específicos de inteligencia artificial, ha anunciado que próximamente presentará un par de estándares adicionales que serán muy interesantes para los fabricantes de RAM. Aunque, claro está, son los fabricantes los que controlan principalmente esta organización y por tanto son ellos los que los están desarrollando.

G.Skill ha añadido una nueva serie para sus módulos de memoria de alto rendimiento, la Trident Z5 Royal Neo, especialmente pensada para los procesadores Ryzen ya que solo incluyen perfiles EXPO. Habrá modelos en colores plateado y dorado, con una zona de iluminación ARGB en la parte superior que emula una forma de cristales.

NVIDIA está falto de producción de chips por parte de sus proveedores para cubrir la demanda de sus aceleradoras, las cuales son ideales para inteligencia artificial. Es lo que ha llevado a la compañía a ser la tecnológica más cotizada en bolsa, y sin pinta de deterner su crecimiento e ingresos. Puesto que sus nuevas aceleradoras usan HBM3e, Samsung de momento no le estaba proporcionando chips debido a problemas térmicos. Una vez resueltos, parece que Samsung iniciará la provisión de los chips a NIVIDIA en el próximo trimestre.

La primera ronda de memoria DDR5 ha madurado y por tanto los fabricantes no tan conocidos están poniendo en el mercado sus propios módulos con ARGB para dar meter un poco más de presión y variedad al sector. Lexar tiene una de estas series, la Ares RGB, de la que analizo en este artículo un kit de 6400 MT/s, que a la postre es el punto dulce de los procesadores de Intel y de los últimos Ryzen 9000 de AMD.

Micron está en el proceso de promocionar su memoria GDDR7 para aceleradoras porque es un sector en el que puede aumentar enormemente sus ventas. Por eso su material promocional está centrado en las ventajas para inteligencia artificial, aunque sin perder de vista su mercado principal que es el de las tarjetas gráficas. En ese terreno, en un documento reciente de la compañía se asegura que este tipo de memoria, por su mayor velocidad, mejora «al menos un 30 % el rendimiento en fotogramas por segundo (FPS) en cargas de trabajo tanto de trazado de rayos como de rasterización».