SK Hynix sigue mejorando los nodos de producción de memoria, que por temas de fiabilidad no están tan evolucionados los de chips lógicos que los de memoria. Ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de su primer chip de memoria usando un nodo de 1c nm, que es algo así como 10 nm si se tradujera al término en función del tamaño de los transistores.
Ese primer chip es de 2 GB (16 Gb) de DDR5, con un funcionamiento a 8 Gb/s, y está orientado a centros de datos. Sobre la fabricación, solo ha indicado que ha usado un «nuevo material» para añadir a la producción la maquinaria de luz ultravioleta extrema (UVE) que posee, lo cual ha hecho aumentar la productividad en más de un 30 % con ciertas innovaciones en el diseño.
SK Hynix también ha indicado que usará este proceso litográfico para producir chips de GDDR7, HBM y LPDDR6. Esta última llegará en algún momento de 2025, principalmente en el entorno de los dispositivos móviles como teléfonos y tabletas.
Vía: SK Hynix.
