El proceso litográfico de 3 nm de Samsung va a sufrir retrasos
07 abr 2020
Samsung ha hecho grandes progresos en el desarrollo de su proceso litográfico a un nivel de integración de 3 nm. Anunció en enero que había desarrollado su primer prototipo de semiconductor haciendo uso de los GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta amplia) que usa nanotubos para el apilamiento de transistores. Pero al igual que ha ocurrido con muchas otras empresas, la pandemia de la covid-19 está provocando retrasos en el desarrollo de nuevas tecnologías.
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