Samsung ha sido la elegida por muchos fabricantes de módulos de RAM de alto rendimiento ya que disponía en su catálogo de una serie denominada de chips B que permitían unas altas frecuencias y en general escalaban bastante bien en cuanto a voltaje y consumo. Esos chips han sido jubilados por Samsung en este segundo trimestre de 2019, y van a ser sustituidos por los más recientes chips A que la compañía está ya fabricando desde el primer trimestre.

La principal novedad de estos chips es que están disponibles en capacidades de 16 Gb (2 GB) y 32 GB (4 GB), en lugar de solo de 8 Gb (1 GB) como ocurría con los chips B. Esto significa que Samsung puede producir mucha más memoria por oblea, y parece por tanto una decisión orientada a reducir costes. Estos chips A están producidos con un proceso litográfico de clase 10 nm, no exactamente a 10 nm, lo que significa que Samsung usa algún proceso litográfico entre los 10 nm y los 19 nm, según estime oportuno.

Cada chip B de 32 Gb está compuesto por pastillas —chips en bruto sin encapsular— de 16 Gb de memoria DDR4, pero en dos empaquetados distintos: uno con 16 hileras en grupos de cuatro con una organización 2 Gb y 8 bits viéndose como dos dispositivos de memoria por el controlador, y otro de ocho hileras en grupos de cuatro con una organización de 1 Gb y 16 bits. El primero tiene 78 bolas y el segundo 96 bolas, entendiéndose por ello que son empaquetado BGA con bolas para soldadura directa a la placa base del módulos de RAM. Todos ellos usan un voltaje de 1.2 V por defecto.

untitled-3.png

Vía: Guru 3D.