Intel está recuperando el tiempo perdido en la pasada década en el terreno de los procesos litográficos. No tenía competidores relevantes, lo que le llevó a dormirse en los laureles y a que TSMC le igualara. A partir de ahí, Intel ha ido un paso atrás, aunque con el retraso de la puesta en el mercado de los 3 nm de TSMC le ha dado un respiro a Intel. El plan de la compañía estadounidense es bastante ambicioso. Actualmente está produciendo ciertos chips a 4 nm, tras lo cual llegará la producción a 3 nm, probablemente a finales de este año, así como los procesos de 2 nm y 1.8 nm, de los cuales ya ha terminado su desarrollo.

Lo ha indicado Wang Rui, el presidente de Intel China. Ahora quedaría el largo camino para que pueda producir comercialmente los chips con estos procesos litográficos. Intel espera que la producción en masa con el proceso de 2 nm o 20 Å (ángstroms) empiece en la primera mitad de 2024, mientras que con el de 1.8 nm o 18 Å estaría listo para la segunda mitad de 2024. Como he dicho, son planes muy ambiciosos que además hacen uso de RibbonFET, transistores creados con nanoláminas apiladas, que dicho con una sigla más conocida es la implementación de Intel de los GAAFET. Samsung los llama MBCFET. Estos procesos litográficos se usarán para sus propios chips para también en su fundición de chips —producción para terceros—.

El punto en el desarrollo en el que se encuentran estos dos procesos litográficos es en el que Intel ha finalizado sus especificaciones, los materiales a usar, los requisitos de producción y los objetivos de rendimiento para las distintas estructuras que pueden componer un chip. Este sistema de producción GAAFET introduce la gestión de energía en la trasera del chip, o dicho de otra forma, en la parte inferior de la oblea. Tradicionalmente se hacía que la energía se entregara en la parte superior, porque no se tenía la tecnología para hacerlo de otra forma, y ahora al entregarla directamente en la parte inferior, donde se crean las estructuras de los transistores, se mejora la eficiencia energética y se libera el espacio ocupado en las capas superiores de redistribución de energía. Son procesos que van a dar un buen salto de eficiencia y rendimiento, al menos sobre el papel.

Vía: Tom's Hardware.