La memoria de alto ancho de banda (HBM) ha encontrado su lugar en los chips orientados a cómputo, y eso significa que se quiere desarrollar lo más rápido posible. De hecho va a un buen ritmo, porque cada par de años se está lanzando una nueva versión. Una vez que la HBM3E ha empezado a producirse y llegará en productos en el primer semestre de 2024, Samsung ha indicado que el la siguiente versión, la HBM4, estará lista para 2025.
De esta versión no está todo definido, que es parte del trabajo en el que está enfrascada la compañía en estos momentos, junto con la del diseño de la producción. Por eso la producción real no se hará previsiblemente hasta la segunda mitad de 2025 o ya en 2026.
Para esta versión se va a expandir el bus de memoria a 2048 bits desde los 1024 bits de la HBM actual, y se le dará un buen empujón adicional a la frecuencia de funcionamiento. También se podrían apilar capas de memoria para llegar hasta los 64 GB por chip de HBM4. Pero para hacer estos cambios se van a tener que poner de acuerdo todos los fabricantes de HBM, diseñadores de chips, las empresas de encapsulado, y en general todos los relacionados con el sector de los semiconductores.
Una de las ventajas de la HBM es, o era, que funcionaba a bajas frecuencias lo que permite una gran estabilidad de señal, pero ahora ya se acerca a los 6 GHz y la HBM4 seguramente se quede más cerca de los 10 GHz en algún momento. Ahí ya entra en la problemática que tiene la GDDR con la integridad de la señal, pero que en la HBM puede ser un poco más difícil de solventar.
Vía: AnandTech.
