Samsung ha anunciado la siguiente generación de su HBM (memoria de alto ancho de banda) a la cual llama Shinebolt. Esta HBM3e es un tipo actualmente orientado a computación aunque originalmente fue codesarrollada por AMD junto a SK Hynix para tarjetas gráficas para juegos. Pero el coste de integrar la HBM directamente en el encapsulado de la GPU no compensaba frente al mucho menor coste de la GDDR.
Esta nueva HBM3e llegará en chips de hasta 36 GB de capacidad, con el habitual bus de 1024 bits por chip y con una velocidad por pin de 9.8 Gb/s. Eso arroja un ancho de banda por chip de HBM3e de 1.22 TB/s, frente a los 819.2 GB/s de la HBM3 de Samsung, los 460 GB/s de la HBM2e, o los 256 GB/s de la HBM2.
Estos chips de HBM3e están compuestos a su vez de ocho o doce chips de memoria HBM de 24 Gb de capacidad producidos con un proceso litográfico de 14 nm usando luz ultravioleta extrema, por lo que se venderán en capacidades de 24 GB y 36 GB.
Es una buena base para la HBM4 que está en desarrollo y que expandirá el bus a 2048 bits por chip, con una frecuencia de funcionamiento superior. Para producirla necesitará mejorar sus tecnologías avanzadas de encapsulado, adaptarlas para chips de memoria y no lógicos, y hará uso de FinFET.
Vía: Anandtech.
