Samsung ha estado presente en la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) que celebra el IEEE, y ha anunciado novedades en el terreno de su LPDDR5. Es un terreno en el que la compañía tiene mucha experiencia y alto nivel de producción, sobre todo porque se utilizan procesos litográficos poco punteros para ello. Así que ha añadido un nuevo tipo de memoria LPDDR5, llamada LPDDR5 Ultra Pro, que alcanza los 12 700 MT/s.
Este empujón de velocidad será idónea para los equipos más compactos con mayores necesidades de rendimiento, como por ejemplo los propios procesadores de Apple, que es uno de los principales compradores de este tipo de memoria. La compañía va a fabricar estos chips con una litografía de 10 nm en una capacidad de 2 GB, y con 1.05 V de funcionamiento. Ha hablado de la posibilidad de crear chips de 10 700 MT/s a solo 0.9 V con el nuevo sistema usado para alcanzar altas frecuencias.
Ese sistema de la LPDDR5 Ultra Pro es un par de cambios. El primero es un bucle de autocalibración de cuatro fases que sirve para ajustar pequeños cambios de la señal de cada una de las fases en las que divide la señal y que podrían reducir el rendimiento de los chips. El otro es la ecualización del transceptor acoplado de corriente alterna, que es un sistema de tres componentes para aumentar la señal enviada, en los cuales hay un búfer adicional del reloj, y afecta al elemento de envío y recepción de la señal.
La compañía no ha dado una fecha exacta para el lanzamiento de este tipo de memoria, pero podría empezar a producirla a final de año, por lo que se vería en productos a partir del año que viene.
Vía: Tom's Hardware.
