La producción de memoria se centra en procesos litográficos que den los menores problemas posibles, y como se basa mayormente en condensadores que en transistores, la forma de medir las litografías de chips lógicos es de poca utilidad. Las compañías de DRAM están en procesos litográficos del orden de 10 nm, pero siguen evolucionándolos con diversas tecnologías, sin perder de vista que necesitan extrema fiabilidad para el buen funcionamiento de la DRAM. Así que Micron ha anunciado un nuevo proceso del orden de 10 nm, el 1γ (nm), pero en el que ha usado en esta ocasión maquinaria de luz ultravioleta extrema (UVE).
Esta maquinaria se lleva usando desde hace más de un lustro en la producción de chips lógicos, pero es ahora cuando está usándose para chips de memoria. Micron ha conseguido crear con esta litografía chips de 2 GB de DDR5 y 9200 MT/s con un 20 % menos de consumo, con una densidad un 30 % superior, y una velocidad un 15 % superior frente al proceso de 1ß (nm). Estos chips de DDR5-9200 están ya en producción y se están enviando a los clientes de Micron para que los prueben.
