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Samsung está actualizando su hoja de ruta en el sector de los semiconductores, y tras indicar que va a comenzar la producción de masa de chips a 7 nm con luz UVE ha hablado de sus chips de memoria para las SSD. El futuro pasa por un par de tecnologías que permiten optimizar la producción de memoria NAND 3D como son los chips de 96 capas y los que tienen estructuras de almacenamiento de cuatro bits por celda (QLC).

Samsung sigue demostrando que en lo referente a tecnologías de producción de chips es la principal empresa del mundo, con TSMC quedándose en un muy cercano segundo lugar. La compañía coreana ha anunciado el inicio de la producción de chips a 7 nm de segunda generación, que en este caso pasa a utilizar luz ultravioleta extrema (UVE) para la creación de las obleas de las que se extraen los chips.

Samsung está llevando sus procesadores Exynos a nuevos terrenos, si bien uno de ellos está empezando a tener una relevancia extrema. Tras anunciar una línea de procesadores Exynos i para el internet de las cosas, ahora ha hecho lo propio para el sector automovilístico con la serie Exynos Auto. Pero teniendo en cuenta lo estrechamente ligados que están los vehículos autónomos al sector de los sensores de cámara, que aportan grandes beneficios a las compañías, también ha anunciado la serie de sensores ISOCELL Auto.

Después de presentar un Galaxy A7 con triple cámara trasera, Samsung ha visto su propia apuesta y la ha subido a cuatro cámaras con el Galaxy A9. El diseño externo del móvil es el habitual de todos los que se ponen a la venta hoy en día, en aluminio con bordes ligeramente redondeados y con trasera de cristal, y en ese terreno no hay mucho que decir, ni positivo ni negativo.

Con la bajada continua de los precios de las SSD gracias a una sobreproducción de chips de memoria NAND, hay algunas cosas de las que se está diciendo que no están muy contentas con ello. Samsung y SK Hynix estarían aparcando sus planes de expansión de fábricas de chips para evitar que bajen más los precios, y aparentemente también van a afectar a los producción de expansión de producción de DRAM.

Samsung ha renovado su móvil Galaxy A7 con una versión adaptada a 2018 que mejora ciertos aspectos del modelo del año pasado. Este Galaxy A7 2018 cambia la pantalla, que pasa a ser de 6 pulgadas tipo Super AMOLED y con relación de aspecto 18:9, con una resolución de 1080 × 2220 píxeles. El frontal se aprovecha más, quitando el lector de huellas delantera y pasándolo a un lateral derecho, aunque el diseño general se mantiene igual.

Samsung ha añadido un nuevo monitor panorámico a su catálogo, y lo hace con el S34J55W que incluye un panel de 32 pulgadas de tipo VA con una resolución de 3440 × 1440 píxeles. Tiene un refresco de 60 Hz, compatible con FreeSync de AMD, y tiene un tiempo de respuesta de 4 ms. El brillo máximo del panel es de 300 nits, y el contraste estático de 3000:1, con los habituales ángulos de visión de 178º/178º.

Ahora mismo son solo dos las fundiciones de chips que tienen la tecnología para fabricar por debajo de los 10 nm: Samsung y TSMC. GlobalFoundries anunció recientemente que abandonaba el desarrollo de su proceso litográfico a 7 nm, dejando a TSMC como la única (y cara) opción para aquellos que quieren producir sus diseños de chips a este nivel. Pero Samsung no está quieta, y a los anuncios previos de producir por debajo de los 10 nm, ha añadido un proceso nuevo.

Dos de los principales productores de memoria NAND y DRAM, Samsung y SK Hynix, han ido estableciendo en el último año y medio unos planes de expansión de producción con la creación de nuevas fábricas. Pero en los últimos meses la memoria NAND ha bajado notablemente de precio, y la memoria DRAM empieza a bajar, por lo que ya empiezan a oírse rumores de que ambas compañías estarían analizando detener sus planes de expansión.

Samsung presentó a finales de mayo el primer módulo de memoria DDR4 para portátil con una capacidad de 32 GB. Esto duplica el máximo actual de 16 GB, gracias al uso de chips de memoria de mayor capacidad en cada módulo. Unos meses después, la compañía ha anunciado el primer módulo de memoria DDR4 de 32 GB de capacidad, usando chips de alta capacidad.