Samsung sigue evolucionando su memoria V-NAND, que es como llama a su NAND 3D para las SSD y otras soluciones de almacenamiento. Actualmente anda por debajo de las 300 capas por chip de V-NAND, pero hay limitaciones a la forma actual de desarrollar estos chips. La industria movió los circuitos periféricos de estos chips de un lado a debajo de las capas de memoria, lo cual supuso un ahorro considerable de espacio en las obleas. Pero para seguir evolucionando la V-NAND, la compañía planea mover los circuitos periféricos, que hacen el control de lo que se lee y escribe en las capas de memoria, a otra oblea.
Con el avance de las técnicas de encapsulación, es posible unir dos obleas durante la producción. Eso eliminaría ciertos problemas con la fabricación con los CP debajo de la memoria, como la complejidad que supone lo que lleva a ocupar más espacio en la oblea, problemas de disipación térmica, interferencias, o la propia interconexión con las capas de memoria, entre otros. El encapsulado de oblea sobre oblea les permite funcionar como un único chip, como otras técnicas de encapsulado actualmente en uso, como por ejemplo para los chip M Ultra de Apple.
El objetivo de Samsung sería alcanzar las mil capas de memoria para su V-NAND en 2030, aunque sería dentro de un par de generaciones, la décima, en la que Samsung comenzaría a usar esta fabricación de oblea sobre oblea con diferenciación de los CP y las capas de memoria, con una cuenta que superaría las 400 capas. Pero para ello necesitaría una patente de la china YMTC, empresa sujeta a sanciones por EUA, centrada en la unión híbrida de chips para conseguirlo. La de vueltas que da la vida, y las sanciones de EUA.
