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Micron es el socio destacado de NVIDIA en el terreno de la memoria y lo demuestra que juntos desarrollaron la GDDR6X y ahora es a quien compra en exclusiva su HBM3E para la aceleradora B200. Durante la última GTC de NVIDIA ha mostrado un tipo de módulo para servidores del que ha hablado anteriormente, pero cuyo desarrollo terminó y ya está listo para la producción en masa. Se trata del MCRDIMM, que viene a ser un DIMM de doble altura.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) ha encontrado en los chips de inteligencia artificial su salida tras el futuro incierto que se abrió después de que AMD dejara de usarla en sus GPU de consumo. El auge de la inteligencia artificial generativa la ha vuelto a poner en el centro del sector que durante 2023 ha permitido que el descalabro de ventas de los fabricantes fuera menor. Pero entrados en 2024, la demanda de la HBM es absurda, llevando a que Micron asegure que su producción de HBM de todo el año está ya toda vendida.

Los fabricantes de chips de memoria (DRAM y NAND) atravesaron desde mediados de 2022 hasta mediados de 2023 una situación económica difícil, dejándose miles de millones de dólares en pérdidas. Pero con el nuevo tirón de demanda del sector consumo y de los centros de datos han vuelto a una senda de beneficios. Micron ha anunciado unos beneficios de 204 M$ durante el primer trimestre de 2024, que va de diciembre de 2023 hasta febrero de 2024.

La pobre gestión de Brian Krzanich y su predecesor, Paul Otellini, al frente de Intel le dejó a Bob Swan una difícil situación a resolver. Teniendo en cuenta que no es ingeniero sino que estudió administración de empresas, la parte económica la resolvió airosamente que era la que más preocupaba, pero con la parte ingenieril se quedó fuera de juego. Ha sido Pat Gelsinger quien está resolviéndola, aunque está por ver si cumple con los plazos de desarrollo de litografía prometido —dos nuevas litografías para este año—. Mientras, Bob Swan ha fichado como consejero de Micron, para ayudar en la parte que sí se le da bien.

Micron está útimamente un paso atrás de Samsung y SK Hynix en el terreno de los chips de memoria pero le ha dado una vuelta de tuerca a sus chips UFS 4.0, que por ahora siguen usándose en los móviles y tabletas de gama alta. Esa vuelta de tuerca implica una reducción del tamaño, lo cual beneficia a los móviles porque supondrá una cierta reducción de espacio, que con lo pequeñas que son las PCB que incluyen nunca viene mal para hacer móviles más compactos.

Micron ha dado una vuelta de tuerca al estándar CAMM2 de módulos de RAM con el anuncio de estándar LPCAMM2. Estos módulos utilizan LPDDR5 en lugar de DDR5, lo cual tiene la ventaja que indica en el nombre, menor bajo consumo que los módulos normales. No van a ser muy distintos que los CAMM2, y su utilidad será también mayor para los equipos de bajo consumo frente a los CAMM.

Micron es uno de los tres grandes fabricantes de chips de memoria, tanto NAND como DRAM, pero este año y parte del pasado ha sido nefasto para ellas. Samsung, Micron y SK Hynix han presentado pérdidas trimestre a trimestre, aunque las han ido reduciendo gracias a recortar producción. Pero la continua bajada de precios para poder deshacerse de los chips producidos va a tener un rebote en 2024 con previsión de aumentos del más del 20 % de estos chips, o más, dependiendo del mercado. De momento Micron ha terminado 2023 con otros 1230 millones de dólares de pérdidas.

Micron ha presentado la serie 3500 de unidades de estado sólido (SSD) que se venderán en el habitual formato M.2 2280, en capacidades de 512 GB, 1 TB y 2 TB. Tienen una interfaz PCIe 4.0 ×4 y usan un protocolo NVMe 2.0c. La compañía ha usado sus chips de NAND 3D tipo TLC de 232 capas para ella, por lo que apunta a ser barata, aunque de buenas características. El controlador es un E25 de Phison.

Los fabricantes de memoria DDR5 se preparan para el lanzamiento de sus chips que funciona a 9.6 Gb/s, lo cual será un empujón adicional al ancho de banda de memoria frente a la actual ampliamente disponible de 6400 Gb/s, o la más restringida de 8.6 Gb/s. Tanto Micron como SK Hynix están en la fase de ganar contratos con los fabricantes de móviles gracias al anuncio del Snapdragon 8 Gen 3 porque sus chips de memoria LPDDR5X son compatibles con este procesador. En el caso de SK Hynix, la ha llamado LPDDR5T, con la -T de «turbo» por el postureo publicitario.

Micron sigue avanzando en el desarrollo de sus chips de memoria DDR5 para aumentar la capacidad de los módulos para el sector consumo. Ahora la compañía ha anunciado que está inmersa en la prueba de módulos de DDR5 de 128 GB, los cuales hacen uso de sus chips de DDR5 de 32 Gb (4 GB) de capacidad. Ha indicado que las primeras unidades ya han sido enviadas a sus clientes para que hagan sus propias pruebas y ajustes a sus equipos.